2. Visto da vicino
Lo stile adottato per il nuovo Samsung 850 EVO non si discosta affatto dai precedenti modelli, presentando una smussatura sui quattro bordi e la consueta verniciatura grigio antracite su cui, al centro, campeggia una serigrafia con il nome del produttore e la tipologia del drive.
Sul lato posteriore troviamo un'etichetta grigia con grafica bianca su cui vengono illustrate tutte le informazioni riguardanti i numeri seriali con i relativi codici a barre e le certificazioni dell'unità .
Sui quattro angoli dello chassis sono chiaramente visibili i fori filettati per l'alloggiamento in un bay e una delle tre viti deputate al fissaggio del PCB alla cover.
Una volta smontata completamente l'unità , troviamo al suo interno un PCB caratterizzato da dimensioni estremamente ridotte (53 x 53mm) e da una disposizione piuttosto ordinata di tutti i componenti ivi montati.
Sul lato superiore, in prossimità dei connettori SATA, si possono osservare il controller, il chip di memoria SDRAM dedicato alla cache e due dei quattro chip di memoria NAND Flash che equipaggiano l'unità in prova.
Sul lato opposto, oltre alla consueta componentistica SMD miniaturizzata, vi sono gli altri due chip di memoria che consentono di raggiungere una capacità complessiva di 500GB.
Gli stessi, infatti, possono sfruttare l'elevata densità che caratterizza la tecnologia 3D V-NAND arrivando ad un package formato da 8 die da 16GB ognuno per un totale di 128GB.
Come accennato in precedenza, il controller che equipaggia le tre unità con capacità sino a 500GB è il Samsung MGX costituito da un processore ARM "low power" dual-core di cui non si conoscono maggiori dettagli mentre, per il più capiente drive da 1TB è stato adottato un controller MEX con processore ARM a 3 core e, quindi, capace di maggiore potenza di elaborazione.
Entrambi i controller impiegati supportano la crittografia dei dati AES 256 bit, TCG/OPAL 2.0 e IEEE-1667, garantendo, inoltre, le funzionalità proprietarie TurboWrite e RAPID Mode 2.1 di cui parleremo nel dettaglio più avanti.
Altra caratteristica interessante è il supporto alla tecnologia Dynamic Thermal Guard Protection che, grazie ad un chip ASP, effettua un monitoraggio costante della temperatura dell'unità riducendo, immediatamente, la frequenza operativa del controller in caso di eccessivi surriscaldamenti.
Come era lecito attendersi, Samsung ha utilizzato le nuove memorie 3D V-NAND a 32 layer già impiegate sull'850 PRO ma, questa volta, implementando celle di memorie di tipo TLC in grado, quindi, di memorizzare 3 bit per cella andando, conseguentemente, ad incrementare la già elevata densità di questi nuovi ICs.
Come già accennato, infatti, in un solo chip sono contenuti ben 8 die da 16GB ognuno e, potendo utilizzare celle di memoria più grandi rispetto alle tradizionali TLC prodotte a 19nm, i Samsung 850 EVO con capacità di 500GB ed 1TB hanno un indice di endurance pari a 150TBW equivalente, quindi, a quello dichiarato per il modello 850 PRO.
Chiunque voglia approfondire la conoscenza delle Vertical NAND 3D, nonché delle classiche NAND Flash planari, può farlo leggendo questo nostro articolo.
L'ultima immagine ci mostra il chip SDRAM LPDDR2 da 512MB, naturalmente anch'esso di produzione Samsung, impiegato per la cache dei dati gestiti dal controller MGX.
