Nel secondo semestre del 2013 Samsung si apprestava a dare uno scossone al mercato mondiale delle unità a stato solido con il lancio dell'innovativo SSD 840 EVO il quale, grazie alle memorie di tipo TLC (Triple Level Cell) e ad altre nuove tecnologie, prometteva prestazioni al top abbinate ad un prezzo di vendita di gran lunga inferiore alle unità di pari livello.
A più di un anno di distanza il colosso coreano ci riprova apportando alcuni miglioramenti a quello che si è dimostrato essere un validissimo progetto e, quindi, utilizzando ancora la modalità di memorizzazione a 3 bit per cella ma, questa volta, implementandola sulle 3D V-NAND Flash introdotte con il Samsung 850 PRO e traendone tutti i vantaggi che ne conseguono.
Il Samsung 850 EVO, questo il nome del nuovo SSD, viene reso disponibile nei tagli da 120, 250, 500 e 1TB.
Mentre per quest'ultimo è stata prevista l'adozione di un controller Samsung MEX mutuato dai precedenti 840 EVO e 850 PRO, per i modelli di minore capienza è stato utilizzato un controller di nuova generazione denominato MGX ed avente minore potenza di elaborazione.
Non poteva certo mancare la tecnologia proprietaria TurboWrite che, in determinati ambiti operativi, contribuisce non poco al raggiungimento delle performance espresse dal drive, in special modo nelle unità da 120 e 250GB.
Il Samsung 850 EVO è stato dotato, come già in precedenza il modello 850 PRO, della rinnovata funzionalità RAPID 2.1 (Real-time Accelerated Processing of I/O Data) con un'aumentata capacità di gestione di caching dei dati sulla RAM di sistema.
A partire dalla versione 4.4 del software di gestione Samsung Magician (ora giunto alla 4.5), si può utilizzare, in virtù di un migliorato algoritmo di gestione dei dati, sino a 4GB di RAM, sempre che si abbia a disposizione un quantitativo totale pari ad almeno 16GB.
Per evitare il possibile raggiungimento di temperature elevate sotto massimo stress è stata prevista una funzionalità denominata Dynamic Thermal Guard la quale, tenendo sotto controllo quella istantanea dei componenti del drive, in caso di necessità agisce sulla frequenza degli stessi riportandola a valori più appropriati.
Su di un prodotto di tale livello non potevano mancare funzionalità quali la crittografia dei dati conforme allo standard TCG Opal 2.0, AES 256 bit e IEEE-1667, nonché il DevSleep cher permette di ridurre ulteriormente i consumi in fase di idle.
Il sample inviatoci gentilmente da Samsung per la nostra odierna recensione ha una capienza nominale di 500GB ed è identificato dal part number MZ-75E500.
Di seguito le tabelle che illustrano le principali specifiche tecniche del prodotto in recensione e le differenze prestazionali esistenti fra i quattro modelli disponibili.
Specifiche tecniche
| Modello | MZ-75E500 |
| Capacità | 500GB |
| Velocità sequenziale massima | Lettura 540MB/s - Scrittura 520 MB/s |
| Interfaccia | SATA III - Retrocomp. SATA II e SATA I |
| Hardware | Controller Samsung MGX - Memorie Samsung TLC 3D V-NAND - DRAM LPDDR2 512MB |
| Supporto DATA Encryption | AES 256 bit Full Disk Encryption (Class 0) TCG/OPAL 2.0, IEEE-1667 |
| Supporto set di comandi | Â TRIM, S.M.A.R.T., NCQ, ATA/ATAPI-8 |
| Consumo | Medio 3W, Max. 3,5W - Idle Max. 50mW - DevSleep 2mW |
| Temperatura operativa | 0 °C - 70 °C |
| Fattore di forma | Â 2,5" |
| Dimensioni e peso | 100 x 69,85 x 6,8mm |
| Shock operativo | 1500G x 0.5ms |
| MTBF | Â 1.500.000 ore |
| Garanzia | 5 anni |
| Software in dotazione | Samsung Magician - Samsung SmartMigration |
Prestazioni
| Modello | MZ-75E120 | MZ-75E250 | MZ-75E500 | MZ-75E1T0 |
| Capacità | 120GB | 250GB | 500GB | 1TB |
| SDRAM Cache | 256MB | 512MB | 512MB | 1GB |
| Seq. Read Speed | 540 MB/S | 540 MB/s | 540 MB/s | 540 MB/s |
| Seq. Write Speed | 520 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s |
| Random Read Speed (IOPS 4kB) | 94.000 | 97.000 | 98.000 | 98.000 |
| Random Write Speed (IOPS 4kB) | 88.000 | 88.000 | 90.000 | 90.000 |
Buona lettura!
