Nonostante il mercato degli SSD di classe consumer preveda nell'ultimo periodo l'utilizzo di celle di memoria a tre bit in luogo delle più costose e meno capienti celle a due bit, per alcuni prodotti di fascia alta è ancora preferibile l'adozione di queste ultime in quanto garantiscono prestazioni ed affidabilità nel tempo sensibilmente più elevate.
Samsung, leader mondiale nella produzione di drive basati su NAND Flash, da svariati anni ha sposato questo criterio differenziando i propri prodotti fondamentalmente in due versioni: EVO e PRO.
Mentre per la linea EVO vengono impiegate memorie TLC a basso costo ed elevata capacità , i prodotti denominati PRO beneficiano delle più performanti MLC a scapito, ovviamente, del prezzo di acquisto, decisamente orientato ad un target di utenza professionale o enthusiast.
Il colosso coreano ha confermato il suo modus operandi anche per il suo ultimo SSD M.2 NVMe 1.3 di tipo PCIe 3.0 x4 ad elevate prestazioni, denominato Samsung 970, e reso quindi disponibile nelle declinazioni appena menzionate, entrambe equipaggiate con componentistica totalmente prodotta in house e differenti tra loro esclusivamente per la tipologia di NAND Flash adottate.
I due nuovi drive, nello specifico, dispongono di un memory controller denominato Phoenix costituito da un processore basato su architettura ARM a 5 cores come il precedente Polaris utilizzato sul 960 PRO, ma con una frequenza di clock più elevata di quest'ultimo ed una migliorata capacità di sopportare il calore generato da pesanti carichi di lavoro.
Il Samsung 970 PRO 512GB, oggetto della nostra odierna recensione, vanta inoltre l'impiego delle nuove V-NAND Flash MLC 64 layer (2-bit per cella), le quali offrono una maggiore velocità ed un minore consumo energetico rispetto alle precedenti V-NAND MLC 48 layer adottate dal 960 PRO.
A completare un quadro già estremamente invitante ci pensa il software di gestione proprietario Samsung Magician che, a patto di utilizzare il 970 PRO come drive di sistema, ci fornisce tutte le funzionalità e le informazioni di cui potremmo avere bisogno.
Nella tabella a seguire, come nostro solito, vi abbiamo riportato tutte le principali specifiche tecniche dell'unità in prova.
Modello | Samsung MZ-V7P512BW |
Capacità | 512GB |
Velocità lettura sequenziale massima | 3500 MB/s |
Velocità scrittura sequenziale massima | 2300 MB/s |
Max IOPS lettura random 4K QD32 | 370.000 |
Max IOPS scrittura random 4KÂ QD32 | 500.000 |
Interfaccia | NVMe PCIe Gen3 x4 |
Hardware | Controller Samsung Phoenix  V-NAND 64 layer 2-bit MLC DRAM Cache LPDDR4 512MB |
Tecnologie supportate | TRIM Â S.M.A.R.T. Garbage Collection DevSleep |
Sicurezza dati | Crittografia AES 256-bit TCG/Opal IEEE 1667 |
Temperatura operativa | 0 °C - 70 °C |
Resistenza agli shock | 1500G/0.5ms |
Dimensioni e peso | 22,15x80,15x2,38mm - 8 grammi |
MTBF | 1.500.000 di ore |
Garanzia | 5 anni |
Consumo medio | 5,2W |
Form Factor | M.2 2280 |
Buona lettura!