4. Layout & PCB
GPU con base clock di 1000MHz e boost clock di 1076MHz in abbinamento a 6GB di memoria GDDR5 con una frequenza di 1753MHz (7Gbps) con interfaccia a 384 bit per una banda passante garantita di 336 GB/s: questi i dati di targa della NVIDIA GeForce GTX 980 Ti.
PCB decisamente ordinato con le otto fasi di alimentazione (6+2) poste "tradizionalmente" nella parte destra della scheda.
Componentistica e disposizione richiamano integralmente le soluzioni utilizzate sulla GeForce GTX TITAN X.
Il retro del PCB, che ricordiamo non è coperto da backplate, nonostante sia abbastanza denso di componentistica SMD, risulta anch'esso piuttosto ordinato; in alto, sulla destra, sono visibili i connettori SLI per la realizzazione di configurazioni multi GPU sino a 4 vie.
Le GDDR5 utilizzate sono di produzione SK Hynix, nello specifico gli ICs H5GQ4H24MFR-R2C che sono accreditati di una frequenza operativa di 7GHz con una tensione di 1,55V.
VRM robusto a sei fasi realizzato con Mosfet Fairchild FDMF6820A della serie XS DrMOS per la GPU, mentre per le due fasi aggiuntive delle memorie sono utilizzati i Mosfet PowerPak ON Semiconductor NC408N (lato alto) e 4983N (lato basso), induttori schermati in metallo composito e condensatori tantalio polimerici con montaggio SMD.
Una sezione VRM, quindi, del tutto analoga a quella della TITAN X, ben raffreddata, quindi, e adeguata a fronteggiare un discreto overclock senza manifestare problemi anche in caso di un deciso aumento della potenza assorbita dalla scheda.
In alto un primo piano della zona di regolazione delle tensioni di alimentazione della scheda con il chip On Semiconductor NCP81174 che si occupa della gestione della sezione VRM.
Dato che il suddetto NCP81174 è un PWM a quattro fasi, in questo design ne vengono utilizzate solo tre poi duplicate dai tre chip NCP81162, sempre di ON Semiconductor, come il modello NCP81172 visibile in alto a sinistra, che si occupa invece della gestione delle due fasi per le memorie.
E concludiamo con un close-up della GPU GM200-310: 8 miliardi di transistor racchiusi in un die da 601mm² di superficie.
