OCZ ZT 650W

Componentistica & layout - Parte 2

 

Â

 

Procediamo con un'analisi più accurata partendo, come di consueto, dall'ingresso.

Il filtro EMI, parzialmente ricavato sul retro del connettore di alimentazione, prosegue sul PCB.

Il numero di componenti supera quello minimo richiesto, ma l'assenza del MOV (Metal Oxide Varistor) ci lascia senza dubbio perplessi, soprattutto in virtù della sua presenza sulla versione ZS.

Ricordiamo che il MOV  ha la funzione di proteggere, entro certi limiti, l'alimentatore dalle scariche elettriche. 

Lo scopo del filtro d'ingresso è quello di impedire alle componenti in alta frequenza, generate dai transistor di switching, di ritornare sulla rete elettrica e di evitare che eventuali disturbi esterni possano influenzare le tensioni d'uscita.

Data la qualità dei componenti e l'assenza del MOV possiamo definire solo discreta la sezione di filtraggio.

Lo stadio successivo prevede la rettifica ad opera di due raddrizzatori in parallelo, dissipati da un piccolo elemento in metallo.

I due T10KB60 consentono di rettificare, se dissipati, una tensione di 600V con corrente massima di 20A complessivi. 

Superata la rettifica, la componente negativa della tensione sinusoidale viene ribaltata in valori positivi, ottenendo così una doppia semionda a 100Hz.

 

Â	Particolare del doppio ponte raddrizzatore con relativo dissipatore. 2 x  T10KB60 Vrrm: 600V Io: 10A

 

Subito dopo troviamo il grosso induttore per il controllo del fattore di potenza, seguito dal condensatore primario di filtraggio: si tratta di un solo elemento da ben 560uF.

 

Il sistema di controllo del PFC e dei transistor di switching è affidato ad un unico chip, il CM6800.

Ricordiamo che il PFC attivo consente di ridurre al minimo lo sfasamento tra l'onda di tensione e di corrente, che comporterebbe un inutile spreco di energia elettrica.  

    

 

I transistor di switching che incrementano la frequenza della tensione di alimentazione a diverse decine di KHz sono due e vengono raffreddati da un unico dissipatore, condiviso con i transistor di controllo del PFC.

Â	Switching Mosfet 2 x FDP20N50 VDSS: 500V ID: 12,9A @ 100°C

 

La tensione in alta frequenza così generata, consente l'utilizzo di trasformatori di piccole dimensioni che abbassano la tensione dai circa 300V dello stadio primario a poco più di 12V  .

 

Â	Particolare della zona di trasformazione con il trasformatore primario e quello riservato alla tensione di stand-by (5Vsb) alla sua destra.

 

Una volta ridotta la tensione a valori compatibili con gli stadi successivi, è necessario filtrare le forti oscillazioni prodotte dai transistor di switching.

 

Â	Particolare dello stadio secondario costituito da 8 rettificatori.  Rettificatori 12V: 2 x QM6020AP 2 x PFR60L60CT Rettificatori 5V: 2 x PFR30L45CT Rettificatori 3V: 2 x PFR20L45CT

 

Lo stadio secondario dell'OCZ ZT 650W utilizza una configurazione ibrida che non prevede moduli DC-DC.

Le tre tensioni vengono generate direttamente dalla tensione fornita in uscita al trasformatore.

La soluzione è stata definita "ibrida", in quanto utilizza per la tensione da 12V due rettificatori a mosfet e 2 rettificatori Schottky, lasciando le altre due tensioni di interesse con i soli rettificatori a diodo.

Ricordiamo che i rettificatori a mosfet consentono di ottenere un'efficienza superiore.

 

Â

 

A seguito dei rettificatori troviamo tre induttori toroidali, uno per tensione, ed un buon numero di condensatori elettrolitici, tutti certificati per operare a 105°C.

 

Concludiamo con il circuito di monitoraggio che si occupa dei sistemi di protezione.