3 - Specifiche tecniche e teoria

Riprendiamo le specifiche tecniche delle memorie e cerchiamo di capire più in dettaglio alcuni concetti che sono espressi dalla maggior parte dei costruttori di RAM nelle loro specifiche tecniche, e che non sono di facile intuizione per tutti gli appassionati. Lo scopo del paragrafo è quello di spiegare meglio i concetti di densità dei chip e configurazione dei moduli di RAM.


Part Number

CS3222770

Capacità

2GB-Kit (2x1GB)

Configurazione

128Mx64

Costruttore/tipo chip

Micron D9JNL

Densità

128Mx8

PCB

240pin

Informazioni sul modulo

unbuffered, Non-ECC, DDR3 DIMM

Velocità nominale

PC15000 o DDR3-1866 MHz

Timings principali

8-8-8-16

VDIMM

1,7V – 2,0V

Garanzia

5 anni


Focalizziamoci sui campi che riportano la densità del chip utilizzato per costruire le memorie e la configurazione del modulo di memoria.

La densità del chip riguarda il modo con cui è organizzata l'architettura logica del chip stesso e si ottiene come prodotto di ampiezza e profondità. Per esempio il fatto che le memorie siano costruite con di chip che hanno densità 128Mb × 8 significa che logicamente il chip di memoria utilizzato ha ampiezza pari a 128 Mb e profondità 8, ovvero è costituito logicamente da 8 banchi di memoria ciascuno di 128Mb.

La cosa è molto evidente dalla seguente figura, estratta da un datasheet Micron, che riporta l'organizzazione logica di un chip di memoria con densità 128Mb × 8:


Cellshock DDR3-1866 8-8-8-16 3 - Specifiche tecniche e teoria 1 


Dal precedente schema logico di vede come gli array o celle di memoria denominati con Bank 0-7 sono organizzati appunto a banchi ciascuno avente dimensioni di 16384 ×128 × 64 bit ovvero 128 Mbit.

Quindi la densità si riferisce proprio all'organizzazione logica interna al chip delle celle di memoria e specifica la dimensione ovvero l'ampiezza del singolo banco, e il numero di banchi presenti ovvero la profondità.

Una volta spiegato il concetto di densità arriviamo a quello di configurazione che riguarda la modalità con cui sono connessi assieme i chip di memoria con la densità preassegnata per creare un modulo di memoria. Nelle memorie Cellshock in esame l'organizzazione viene espressa come 128Mbit × 64 il che significa semplicemente che vengono affiancati assieme 8 chip di memoria 128Mbit × 8 per creare un modulo di memoria. Logicamente è come se avessi 64 banchi di memoria (numerati da 0 a 63) ciascuno da 128Mbit messi assieme per formare un modulo di memoria.

Gli 8 chip di memoria con densità 128Mbit × 8 sono connessi assieme nel seguente modo:


Cellshock DDR3-1866 8-8-8-16 3 - Specifiche tecniche e teoria 2 


Lo schema logico di cui sopra si traduce nella realtà nel seguente modo:


Cellshock DDR3-1866 8-8-8-16 3 - Specifiche tecniche e teoria 3


Cellshock DDR3-1866 8-8-8-16 3 - Specifiche tecniche e teoria 4