5. Perfomance - Analisi dell'IC
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In questa serie di prove analizzeremo il comportamento dell'IC all'aumentare della frequenza operativa in rapporto al Cas utilizzato.
In questo modo la lettura dei valori ottenuti permetterà di comprendere meglio la qualità del modulo di memoria, scoprendo così le caratteristiche di funzionamento dei chip in base ai timings utilizzati dal produttore.
Dopo aver fatto qualche prova preliminare, in modo verificare il comportamento dell'IMC della CPU in abbinamento al kit di memorie, abbiamo rilevato che il valore di tensione in grado di consentire le migliori performance delle Patriot Viper 3 Intel Extreme Masters Limited Edition 2133MHz 16GB sono state, rispettivamente, 1,65V per il VDRAM e di 1,20V per il VCCSA; nelle condizioni di temperatura in cui abbiamo operato e con il sistema di raffreddamento a nostra disposizione, superando tali soglie non abbiamo registrato alcun significativo miglioramento.
Il VDRAM utilizzato supera, seppur di poco, le specifiche stabilite da Intel per processori Sandy Bridge-E ma, grazie all'adeguato raffreddamento del processore e dei moduli in prova, si è cercato di ridurre al minimo il rischio di eventuali guasti.Â
La tipologia di chip utilizzato da Patriot Memory per questo kit di memorie appartiene alla nuova serie di semiconduttori operanti a bassa tensione, impiegati dalla maggior parte dei produttori di memorie ad alte prestazioni.
Presumibilmente si tratta di IC di produzione Samsung, realizzati con processo produttivo a 30nm ma, non avendo rimosso il dissipatore, non ne abbiamo l'assoluta certezza.
Nella prima serie di test abbiamo impostato il valore del tRCD +0 rispetto al CAS, così come da specifica dei timings utilizzati dal produttore.
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Le Patriot Viper 3 Intel Extreme Masters Memory 2133MHz restituiscono risultati appena sufficienti con timings pari o inferiori a 9, chiudendo la serie migliore dei test con frequenze di poco superiori ai 1660MHz.
Dato diverso emerge, invece, all'aumentare dei timings dove i nuovi chip Samsung riescono a operare stabilmente fino a 2304MHz con impostazioni pari a 11-11-11-27 1T.
Ricordiamo che il valore di tRCD determina il tempo minimo, in cicli di clock, dei segnali di ritardo che compongono l'indirizzamento tra riga e colonna in una cella di memoria; i moduli di memoria con chip a densità cosi elevata non consentono un uso troppo aggressivo di questo valore perché, a livello di segnale elettrico, la carica ha una durata troppo breve e non permette un corretto indirizzamento dei dati nella cella.
Nel tentativo di stabilizzare le memorie abbiamo aumentato la tensione di funzionamento della RAM portandole oltre un valore di 1,70Volt, ma le stesse sono risultate altamente instabili; sconsigliamo pertanto di utilizzare questo kit oltre il valore massimo imposto dal costruttore.
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La successiva serie di test, con un valore di tRCD +1 rispetto al CAS, restituiscono dei valori di frequenza massima più alta rispetto a quelli svolti precedentemente.
Le frequenze raggiunte, come evidenziato dai grafici, seguono solo in parte le prestazioni prodotte dalla serie di test con valori di tRCD +0.
Se analizziamo più in dettaglio il comportamento dei moduli possiamo vedere come questi possano sorprendentemente funzionare alle stesse frequenze operative ottenute nel grafico con tRCD +0, ma con una valore di CAS più aggressivo.
La frequenza massima raggiunge quota 2470MHz 11-12-12, un valore di tutto rispetto per questo modello di memorie.
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L'incremento del tRCD a +2 ha consentito agli IC un guadagno significativo in frequenza operativa, raggiungendo un ottimo valore per un kit composto da quattro moduli, pari a 2500MHz 11-13-13.
Il limite raggiunto rappresenta anche la frequenza massima di operatività del nostra piattaforma oltre la quale, utilizzando sistemi di raffreddamento convenzionali, non riusciamo ad avere un sistema completamente stabile.
Di eccellente livello anche i valori delle frequenze massime ottenute a CAS 8, 9 e 10, mentre a CAS 7 otteniamo un mediocre 1640MHz.
