Interno:


Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 1 

Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 2 

Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 3 

Dopo aver rimosso le 4 viti che assicurano l'SSD alla struttura , abbiamo accesso al pcb.

Quest'ultimo è fissato, tramite due distanziali, alla parte superiore.


Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 4 

Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 5 

Il classico PCB di colore verde mette in evidenza le sedici celle Nand Flash MLC da 8 Gbyte, disposte su entrambe le facce. A differenza dei dischi di prima generazione, il nuovo ssd Corsair adotta MLC di seconda generazione a 34nm.


Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 6 

La soluzione tecnica adottata da Corsair, per la gestione di questa unità, si basa sul nuovo controller single-chip prodotto JMicron: il modello in questione è siglato JMF612. Il processore si occupa di tutta la logica di funzionamento del disco mediante un sistema di interleaving multi canale a otto vie per le funzioni di de-multiplexing e multiplexing verso le celle di memoria. L'interfaccia di collegamento si basa su un massimo di 16 chip Nand flash, supporta Celle di memoria con tecnologia 5x, 4x, 3x nm. L'algoritmo di wear leveling assicura una operatività su più livelli con dinamica di controllo d'errore ECC. Il protocollo di trasmissione utilizza un'interfaccia nativa USB 2.0 e Sata Rev. 2.6 (3.0Gbps) con una velocità massima di lettura e scrittura dichiarata rispettivamente di 250 MBps e 170 MBps.


Corsair Reactor Series 120GB 3. Interno 7 

Il controller è accoppiato ad una grande cache Hynix DDR2 SDRAM siglata H5PS1G63EFR da 2.5 ns, CL6, 1.8Volt e della capacità di 128 Mbyte.


I chip NAND 2Bit Multi Level Cell di seconda generazione sono prodotti da Intel con tecnologia 34nm e una densità pari a 8GByte per chip con specifica ONFI 1.0.


Grazie alle soluzioni tecniche adottate, Corsair dichiara un MTBF ? Mean time between failures? o tempo medio prima di un guasto, di 1,0 milioni di ore*, raggiungendo e superando in alcuni casi la stessa vita utile di un tradizionale disco fisso con testina magnetica.


* Tempo riferito in caso di guasto elettrico dell'unità e non di vita utile delle celle di memoria Nand Flash impiegate, la cui durata è stimata in circa 1200 Terabyte di scrittura.