Inside Look
| | |
Dopo aver rimosso le 4 viti che assicurano il fondo dell'SSD alla struttura e dopo aver tagliato i due sigilli di garanzia, abbiamo accesso al PCB. Quest'ultimo è a sua volta fissato alla parte superiore dell'SSD tramite altre 4 viti.
| | L'insieme degli elementi che compongono la struttura dell'SSD, da destra: Il coperchio superiore, il PCB con l'elettronica di controllo, il guscio inferiore di contenimento. |
| | |
Layout particolare delle unità dotate di controller SandForce, diverso rispetto agli SSD visti sinora. Possiamo vedere, dalle immagini sopra, il controller che è posizionato al centro del PCB con i chip NAND disposti attorno ad esso. La versione da 60 GB non dispone di alcun modulo di memoria nella parte inferiore.
Il Controller
| |
Per la gestione di questa unità, G.Skill adotta una soluzione tecnica basata sul nuovo controller single-chip prodotto SandForce: il modello in questione è siglato SF-1222TA3-SBH. Il processore si occupa di tutta la logica di funzionamento del disco mediante un sistema di interleaving multi canale per le funzioni di de-multiplexing e multiplexing verso le celle di memoria. L'interfaccia di collegamento si basa su un massimo di 16 chip Nand flash, supporta Celle di memoria SLC e MLC. Il protocollo di trasmissione utilizza un'interfaccia nativa Sata Rev. 2.6 (3.0Gbps) con una velocità massima di lettura e scrittura dichiarata di 285 MB/s e 275 MB/s.
| DuraClass Technology | ||
| Dura Write | RAISE | DuraClass ECC |
Il controller SandForce SF1200 utilizza un'avanzata logica di funzionamento chiamata “DuraClass Technology”. L'insieme di queste innovative funzioni nasce per permettere l'utilizzo delle celle MLC anche negli SSD destinati al settore Enterprise.
Artefici di questo miglioramento sono sostanzialmente tre funzioni brevettate dall'azienda californiana, chiamate “DuraWrite” , “RAISE” e “DuraClass ECC”.
DuraWrite è lo speciale algoritmo di wear levelling che assicura un’operatività prolungata delle celle di memoria grazie ad un fattore d'amplificazione di durata x20. Con la formula visibile nell'immagine in alto, in linea teorica un disco SSD da 256GB tradizionale permette di riscrivere i dati per un massimo di 92 giorni, mentre il disco SandForce consente di prolungare la vita delle celle fino a 5 anni.
RAISE il cui acronimo deriva da “Redundant Array of Indipendent Silicon Elements”, è la tecnologia proprietaria che si occupa di preservare l’integrità dei file durante il funzionamento del disco. Se in un SSD standard vengono utilizzati fino a sedici moduli NAND Flash ciascuno contenente fino ad 8 die, ne ricaviamo che, tenendo presente il failure rate di 0,1% per singolo die, le probabilità di errore salgono ad un preoccupante 12%. La particolarità di questa specifica funzione, è di gestire la classificazione dei vari elementi in modo molto simile a quanto già visto in una configurazione RAID 5. In questo modo la matrice di ogni dato memorizzato è divisa su più celle di memoria ed in caso di un errore in un singolo blocco, il controller potrà ricostruire la sua integrità in maniera molto semplice, recuperandolo da un altro blocco. L’algoritmo è talmente efficace che premette di recuperare, oltre ai singoli blocchi, anche intere pagine di memoria senza il minimo problema da parte del controller. Il risultato di quanto appena illustrato e' un failure rate di solo 0,128%.
DuraClass ECC permette una avanzata gestione degli errori grazie ad un metodo di controllo molto efficace; SandForce dichiara una capacità d’integrità nei dati di 10^17 Bit, questo riduce l’insorgere di un errore in lettura a uno ogni 3,9 anni.
MLC
| | I chip NAND 2Bit Multi Level Cell di seconda generazione sono prodotti da IM Flash technologies con tecnologia 34nm e una densità pari a 8GByte per chip con specifica ONFI 2.0. |
Grazie alle soluzioni tecniche adottate, G.Skill dichiara un MTBF (Mean time between failures) o tempo medio prima di un guasto di 1,5 milioni di ore* raggiungendo e superando, in alcuni casi, la stessa vita utile di un tradizionale disco fisso con testina magnetica.
*Tempo riferito in caso di guasto elettrico dell'unità e non di vita utile delle celle di memoria Nand Flash impiegate, la cui durata teorica è stimata in circa 6 Terabyte di scrittura.
