Samsung ha appena ampliato la propria offerta con l'introduzione di nuovi moduli di memoria DDR5 con una capacità di 512GB ed una velocità di 7.200 Mbps, il doppio rispetto alle attuali DDR4.
Questa linea di memorie è stata progettata per gestire al meglio i carichi di lavoro più impegnativi, le applicazioni industriali e professionali più avanzate ad elevata larghezza di banda (supercomputing) e l'analisi AI.
Realizzati con processo produttivo HKMG (High-K Metal Gate), lo steso utilizzato per le GDDR6, i moduli dispongono di un totale di 40 chip DRAM, ognuno con otto strati da 16Gb impilati insieme e collegati tramite la tecnologia TSV (Through-Silicon-Via).
Samsung ha anche affermato di stare attualmente campionando diverse varianti delle sue memorie DDR5 ma non fornisce alcuna data di lancio, anche se è probabile vederle arrivare sul mercato a fine anno in concomitanza con le nuove piattaforme AMD e Intel.
