Intel riferisce che i FinShapedFET dal disegno TriGate a 22nm utilizzati in questi nuovi Xeon Ivy Bridge-EP-EX, rispetto ai MetalOxideFET (i MOSFET tradizionali) a 32nm finora utilizzati, dovrebbero portare ad una riduzione dell'assorbimento di energia di circa il 50%![]()
Quindi, seppur calcolando l'abbondante quantitativo di cache L3, non sarebbe improbabile per queste cpu trovarsi di fronte ad un TDP anche dell'ordine <100W![]()