Cellshock DDR3-1866 8-8-8-16

2 - Presentazione delle memorie

Le RAM si presentano nel tipico blister nero con l'apertura centrale che lascia intravedere un modulo di memoria rivelando la colorazione blu anodizzato con le strisce in argento lungo tutta la lunghezza e il marchio Cellshock al centro tra le strisce.

 

Sulla scatola vengono anche riportati il nome del modello e le specifiche dichiarate dal costruttore DDR3-1866 8-8-8-16 con una tensione di alimentazione minima di 1,7 volt e massima di 2,0 volt. La cosa che salta subito all'occhio è il valore del timings tRAS dichiarato che è sorprendentemente basso rispetto a quello dichiarato su altri kit di equivalente di equivalenti caratteristiche e prodotti dalla concorrenza.

Come gli utenti più smaliziati sanno questo valore ha un'influenza tutt'altro che trascurabile sulle performance delle memorie che è apprezzabile soprattutto nelle sessioni di benchmark con i più noti applicativi utilizzabili a tale scopo.

Al tatto le memorie danno una sensazione di solidità che è caratteristica di tutte le memorie Cellshock di fascia alta ed è dovuta al fatto che il dissipatore è realizzato in alluminio pieno. A contribuire a questa sensazione concorre anche la modalità con cui il dissipatore è fissato al PCB e ai chip della RAM tramite due viti a brugola, che tengono ben ancorate le due facce del dissipatore al PCB e ai chip delle RAM.

Questa soluzione è peculiare delle RAM Cellshock e al momento come qualità costruttiva e robustezza dei materiali non si trovano riscontri nelle memorie prodotte dalla concorrenza.

 

 

Le principali caratteristiche tecniche delle memorie sono riassunte nella seguente tabella:

Le memorie sono costruite utilizzando chip Micron D9JNL ed n particolare 8 chip ciascuno con densità 128Mb ×8 (profondità per larghezza) ottenendo così una configurazione 128Mb ×64 pari a 1 GB di memoria utile per modulo.

I chip impiegati sono i nuovi Micron D9JNL che sono caratterizzati dal fatto di essere meno assetati di volt (e nello stesso tempo di essere meno robusti a elevati voltaggi) e di salire discretamente bene. Al momento il panorama dei chip Micron utilizzati per le memorie DDR3 è composto come di seguito:

1. D9GTR con densità 128MBx8 tensione di alimentazione di 1,5 volt clock rate di 533MHz cycle time 1.875ns

2. D9GTS con densità 128MBx8 tensione di alimentazione di 1.5v clock rate di 667 MHz e cycle time 1.500ns

3. D9JNL con densità 128MBx8 tensione di alimentazione di 1.5v clock rate di 533MHz cycle time 1.875ns

4. D9JNM con densità 128MBx8 tensione di alimentazione di 1.5v clock rate di 667 MHz cycle time 1.500ns

La differenza macroscopica tra i primi due chip e gli ultimi due è il numero di pin del package che è di 86 e 78 rispettivamente, il che si traduce in differenti dimensioni dei chip.

La differenza in termini di comportamento riguarda la maggiore propensione dei chip GTR/GTS a sopportare voltaggi di esercizio più elevati rispetto ai chip JNL/JNM, e la maggiore propensione dei chip GTR/GTS a salire di più con timings tirati: con timings 5-5-5-x e 6-6-6-x i chip GTR/GTS dovrebbero salire di più rispetto ai chip JNL/JNM.

Ovviamente si parla di comportamenti osservati sul campo nelle varie prove che sono state fatte con RAM che utilizzano questi chip, e quindi non essendoci una spiegazione “scientifica� oggettiva potrebbero esserci delle eccezioni.

La peculiarità dei chip JNL/JNM è quella di salire più facilmente con timings rilassati e con voltaggi più bassi rispetto a quelli richiesti dai chip GTR/GTS.

In generale come si osserva anche dalle specifiche i chip GTS sono generalmente più rari e pregiati dei GTR e analogo discorso vale per i chip JNM rispetto ai chip JNL. Per esempio i chip GTS sono utilizzati su alcuni kit di RAM prodotti da Crucial (che è una divisione della Micron) nella serie Ballistix che si sono comportate molto bene con prove fatte sul campo, e al momento è molto raro vedere questo tipo di chip montati su delle RAM che non siano Crucial (è l'asso nella manica di Micron/Crucial nei confronti della concorrenza).