2. Visto da vicino
Il design del nuovo Samsung 750 EVO non è dissimile dai precedenti modelli presentando una leggera smussatura sui profili superiori, i consueti quattro bordi arrotondati ed una verniciatura grigio antracite.
Sul lato anteriore troviamo soltanto una serigrafia con il nome del produttore e la tipologia del drive.
Sul lato posteriore, invece, è presente un'etichetta nera riportante le informazioni inerenti capacità , serie, modello e numeri seriali con relativi codici a barre, oltre alle svariate certificazioni dell'unità .
Sui quattro angoli dello chassis sono chiaramente visibili i fori filettati per l'alloggiamento in un bay ed una delle tre viti deputate al fissaggio del PCB alla cover.
Una volta smontata completamente l'unità , operazione che, è bene ricordarlo, fa decadere i termini di garanzia, troviamo al suo interno un PCB caratterizzato da dimensioni estremamente ridotte (53x53mm) e da una disposizione piuttosto ordinata di tutti i componenti ivi montati.
Sul lato superiore, in prossimità dei connettori SATA, si possono osservare il controller, il chip di memoria SDRAM dedicato alla cache e due dei quattro ICs di NAND Flash che equipaggiano il Samsung 750 EVO 500GB.
Sul lato opposto, oltre alla consueta componentistica SMD miniaturizzata, vi sono gli altri due ICs che consentono a questo modello di raggiungere una capacità complessiva di 500GB.
Il controller che equipaggia l'unità in prova, così come i modelli di capacità inferiore, è il collaudato Samsung MGX utilizzato con successo sulla serie 850 EVO.
Si tratta di un controller SATA di ultima generazione costituito da un processore ARM "low power" dual-core di cui non si conoscono molti dettagli.
Il controller supporta la crittografia dei dati AES 256 bit, TCG/OPAL 2.0 e IEEE-1667, garantendo, inoltre, le funzionalità proprietarie TurboWrite e RAPID Mode 2.1 di cui parleremo in dettaglio più avanti.
Altra caratteristica interessante è il supporto alla tecnologia Dynamic Thermal Guard Protection che, grazie ad un chip ASP, effettua un monitoraggio costante della temperatura dell'unità riducendo, immediatamente, la frequenza operativa del controller in caso di eccessivi surriscaldamenti.
Come accennato in precedenza, Samsung ha utilizzato le nuove memorie NAND Flash TLC di tipo planare realizzate con processo produttivo a 16nm.
Il tipo di memorizzazione a 3 bit per cella consente di incrementare la densità di questi nuovi ICs che sono caratterizzati dalla presenza di ben 8 die da 16GB per chip.
Ovviamente, sia le prestazioni, ma soprattutto la durata nel tempo, non sono paragonabili a quelle ottenibili con le controparti 3D, in grado di assicurare su SSD di pari capacità un indice di endurance pari a 150 TBW contro i 70 TBW del modello in prova.
L'ultima immagine ci mostra il chip SDRAM LPDDR3 da 512MB, naturalmente anch'esso di produzione Samsung, impiegato per la cache dei dati gestiti dal controller MGX.
