Durante la giornata di ieri dedicata agli investitori, Micron ha svelato le sue NAND Flash 232-layer che, al momento, sono le più avanzate sul mercato.
Micron sta utilizzando ciò che l'azienda chiama CMOS Under Array (CuA) come piattaforma su cui montare una coppia di stack TLC, per un totale di 232 strati.
Si dice che ogni chip NAND Flash impilato abbia una capacità di 1 Terabit, o 128 GB, quindi nessun aumento di capacità rispetto alla concorrenza, ma Micron promette una maggiore larghezza di banda nodo su nodo, quindi potremmo finire per avere prestazioni migliori.
Tra i vantaggi della sue 3D NAND TLC a 232 strati, Micron ha menzionato anche un consumo energetico inferiore rispetto ai nodi della generazione precedente, il che rappresenterà un altro vantaggio competitivo data la sua storica attenzione al mondo mobile.
Le nuove NAND Flash dovrebbero essere ottimizzate per SSD e soluzioni di tipo eMMC e UFS.
Micron ha anche rivelato una roadmap aggiornata, da cui si evince la sua volontà realizzare diverse soluzioni con più di 200 strati prima di passare a stack di NAND a 300 e 400 strati.
Gli stack a 300 strati sono già in fase di sviluppo strutturale, mentre quelli a 400 strati sono ancora nelle prime fasi della ricerca.
La NAND a 232 strati entreranno in produzione di massa verso la fine di quest'anno, quindi non dovremmo aspettarci di vedere arrivare nulla del genere sul mercato sino ai primi mesi del 2023.
