Vincenzo stai parlando in pura teoria, all’atto pratico questi timing bastano per concretizzare la maggior parte delle performance di sistema.Anzitutto complimenti per l'ottima recensione veramente ben fatta.
Non mi trovi d'accordo con l'ultima affermazione nel senso che la latenza della memoria nel 90% dei casi non è influenzata dai timings CAS, tRP, tRAS, tRCD (forse la tua affermazione è vera nel primo accesso dopo l'inizializzazione della RAM o dopo un periodo di idle della RAM anche se vi sono altri timings da tenere in conto che non sono pilotabili via bios). Dopo che la RAM è stata inizializzata e acceduta per la prima volta intervengono in maniera preponderante i subtimings (perchè vi sono letture ripetute, letture seguite da scritture, letture seguite da letture, scritture da scritture, ecc., ecc.). Quindi la reale latenza delle RAM dipende molto dalla sequenza di queste operazioni e dalla quantità di dati che viene acceduta e da come questi sono disposti in memoria (per questo motivo su Lavalys Everest c'è una misura di latenza della RAM che viene fatta con diverse quantità di dati e a cui corrispondono valori di latenza molto diversi).
La reale latenze delle RAM nel 90% dei casi la conosce solo il padreterno, nei benchmark di latenza che vedete il dato si riferisce non alla reale latenza, ma alla differenza tra il tempo in cui viene fatta una singola richiesta di lettura/scrittura e il tempo in cui il dato è disponibile (che forse si può ricondurre a un caso di accesso dopo uno stato di idle o di inizializzazione).
Per capire bene quanto ho detto prima basta provre ad interpretare il seguente diagramma di stato semplificato delle RAM che si trova in tutti i datasheet delle RAM di tutti i costruttori (questo è stato preso dal datasheet dei nuovi chip Elpida):
Molte volte vedo incorrere nell’errore di consolidare le prestazioni alla sola implementazione o meno dei comandi di clock, tutto questo è giusto se si calcola il solo funzionamento dell’IC, ma nella realtà è molto sbagliato perché ogni elemento di memoria è interfacciato con un memory controller su un'architettura differente.
Ogni elemento ha caratteristiche diverse, questo dipende solo dalla densità dell'IC, ogni produttore costruisce memorie in base alle specifiche jedec. Il comportamento in overclock degli stessi cambia in base alla qualità del modulo e alla stabilità del loro segnale all'aumentare della frequenza.
Un altro errore e di credere che ogni parametro di funzionamento non può essere impostato da bios, quanto di più sbagliato, sta solo al produttore della scheda madre decidere quale livello di integrazione specificare in base alle proprie esigenze. Tutti i comandi portano a comportamenti diversi in base all'integrazione con il memory controller a cui si interfacciano.
Per capire i vecchi memory controller Intel, cosi come le cpu Clarkdale, reagiscono meglio con un certo modello di implementazione, mentre, le CPU AMD Phenom, INTEL Nehalem /lynnfield con altri modelli.
Nell'insieme dei casi comunque i tempi da me descritti bastano per valutare in modo generale il comportamento e la velocità di funzionamento.
Per concludere dico solo una cosa, usate sempre la vostra testa e fate delle prove, variate i tempi e valutate come influiscono sulle prestazioni generali della vostra architettura.
Un saluto
Marco non sto facendo teoria ma sto semplicemente riportando le basi di funzionamento sulle RAM basandomi sui datasheet che i progettisti utilizzano per costruire fisicamente i moduli di RAM.
La teoria è data dalle teorie strampalate (non è il tuo caso) che vedo in giro per il web che cercano di ricondurre a una formula generica la latenza delle RAM non capendo neanche quali sono e grandezze e i meccanismi in gioco che sono sintetizzati in quel diagramma che ho postato, e che pensano che la latenza delle RAM sia in qualsiasi condizione di funzionamento quel numeretto Latency riportato da Everest.
Concordo con te sul fatto che sulla latenza totale influisce l'architettura del memory controller e come questa si interfaccia alla CPU ma qui si stava discutendo di latenza delle RAM, e continuo a non concordare sul fatto che si possa ricavare la latenza delle RAM semplicemente sommando CAS, tRP, tRAS, tRCD proprio per quello che ho detto e cioè che corrisponde a una visione semplicistica e non corretta di quello che succede.
L'unica cosa che si può dire è che tirando i timing la latenza generale delle RAM si abbassa, ma da qui a scrivere una formula generica che calcoli la latenza dai timings delle RAM e che sia valida in tutte le condizioni di funzionamento delle RAM ce ne vuole.
Mi trovo d'accordo sul fatto di fare delle prove "empiriche" per trovare i settaggi che consentano di dare le migliori performance.
In definitiva non sto facendo teoria, anzi sto usando le basi teoriche di funzionamento delle RAM per cercare di dire che in questo campo non è possibile fare teoria inventando delle formule generiche di latenza per le RAM che valgono in tutte le condizioni di funzionamento.
Infatti non dico mica che quanto dici è sbagliato, cerco di tentare di spiegare ancora meglio quanto non riesco a far capire.
considerando che l'accesso alla memorie segue sempre questo ciclo:
1 La CPU invia un segnale specificando la riga di memoria e la banca a cui desidera accedere tramite la linea RAS.
2 Dopo un periodo di tempo (RCD), la CPU invia un segnale alla linea di CAS, specificando la colonna a cui accedere.
3 Dopo il periodo CAC tempo, la sposta i dati alla linea di uscita (DQ).
4 La CPU deve ricevere i dati dopo un specifico ciclo di clock dall'invio della richiesta.
Ora come funzionano i primi timing e come sono implementati:
Cas latencyCertamente uno dei tempi più importanti è la latenza CAS, perchè da questo valore vengono calcolati tutti i tempi che compongono i cicli T (tCLK), ovvero, da questo dato e dalla frequenza di funzionamento del bus delle memorie viene calcolata la latenza di ogni colpo di clock.
Questo valore si riconduce alla lettura dei dati che spesso sono accessibili in modo sequenziale nella riga stessa. La CPU deve solo selezionare la colonna nella riga per ottenere la parte successiva di dati in memoria, in altre parole, CAS Latency è il ritardo tra i segnali CAS e la disponibilità dei dati validi sul pin dati DQ. La latenza degli accessi di colonna alias (CAS) gioca quindi un ruolo importante nelle prestazioni della memoria e del sistema, minore è la latenza, migliori sono le prestazioni. Tuttavia, i moduli di memoria devono essere in grado di supportare condizioni con scarsa latenza, qui entra in gioco la qualità dell'IC.
tRAS
L'architettura di memoria è come un foglio di calcolo con riga su riga e colonna su colonna, dove ogni riga è come una banca. Ogni CPU per accedere alla memoria, deve per primo determinare quale riga o di una banca nella memoria deve essere accessibile e quindi attivare la riga con il segnale RAS. Una volta attivata, la riga può essere letta più e più volte, fino a quando i dati si sono esauriti.
Concludendo il tRAS è il tempo necessario prima (o ritardo necessario) dell'attivazione dei comandi di precarica. Per capire, è il tempo necessario che la memoria deve attendere prima che il successivo accesso alla stessa può cominciare.
Uno dei motivi percui il tRAS ha scarso effetto sulle prestazioni complessive del sistema e dovuto dal fatto che il suo tempo in cicli t determina solo quanto tempo deve intercorrere prima che ogni riga può essere attivata e disattivata, il suo valore influenza la stabilità del sistema, se impostato in modo errato.
tRCDIl tRCD è il ritardo tra il momento in cui una riga viene attivata e quando la cella (o colonna) viene attivata, con il segnale CAS, dove i dati possono essere scritti o letti nella cella di memoria. Quando la memoria accede in modo sequenziale e la riga è già attiva dal comando di tRAS il tRCD non avrà un grande impatto. Se la memoria non accede in maniera lineare e la riga corrente attiva deve essere disattivata, per selezionare una nuova riga da attivare, in questo caso il tRCD ha un ruolo fondamentale nelle prestazioni.
tRCD basso può migliorare le prestazioni, tuttavia, come qualsiasi altro timing della memoria, mettendo un valore troppo basso può causare instabilità.
tRPIl tRP è il tempo necessario per terminare un accesso a una riga e cominciare l'accesso alla successiva riga.Il comando di tRP può anche essere visto come il ritardo richiesto tra disattivare la riga corrente e selezionare una riga successiva. In combinazione con tRCD e il tempo necessario cicli di clock per cambiare riga e selezionare la cella successiva per la lettura, scrittura, o di refresh. Il suo valore generalmente (dipende dalla densità dell'IC) ha un valore compreso tra il CAS e tRCD.
tCLKIl tCLK è semplicemente il tempo utilizzato per ogni comando di clock è espresso in nano secondi. Il suo valore viene condizionato dalla velocità del bus di sistema, la formula per il suo calcolo l'ho espressa nei post precedenti e la riporto qui sotto.
T = 1/ (frequenza memoria/2) nel caso usiamo il valore in frequenza DDR.
T = 1/ (frequenza del bus) nel caso del valore effettivo del BUS in MHz.
T = 1/ (2000/2) MHz = 1/1.000.000.000 = 0,000000001 secondi = 1,00 ns
Ogni colpo di clock (T) ha la durata di 1 ns con le ram a 2000MHz
Command RateIl flusso di comando è il tempo necessita ogni comando per essere inviato all'IC della RAM. Minore è il suo valore maggiori sono i comandi che verranno inviati verso la RAM di conseguenza le prestazioni aumentano al diminuire del suo valore. Questo valore se troppo basso però può provocare corruzione dei dati, generalmente, per daily use il suo valore deve essere impostato su 2T.
Questi valori o comandi determinano buona parte della velocità delle ram, è vero che ci sono altri sub timing che influenzano il funzionamento delle memorie, lungi da me dire il contrario, ma quest'ultimi parametri sono maggiormente legati all'architettura del memory controller.
Proprio per questo motivo non esistono programmi terzi tipo "Everest" o "Sisoftsandra" che possono misurare un solo parametro arbitrario, anzi, il loro compito e, proprio perchè buona parte dei sub timing è strettamente legato alla funzionalità del memory controller, di considerare in maniera univoca cache, memory controller e latenze generali.
Concludo con questo esempio:
Se avete delle memorie 7-7-7-21 1600MHz 1T, sia su piattaforma Intel sia AMD, e provate a lanciare un qualsiasi benchmark vedrete che questa configurazione otterà un punteggio di base.
Successivamente andante nel bios delle due piattaforme, incomincite a modificare i sub timing dalle impostazioni, da default a più aggressive fino al limite, abbassando cosi: tRRD, tRC, tWR, tRFC, ecc.
La prima cosa che noterete è che questi parametri permettono un guadagno di prestazioni molto differente nei due sistemi, questo è legato come dicevo al funzionamento del memory controller e dall'architettura a cui si interfaccia, anche usando dei sub timing più aggressivi il guadagno dal punteggio base al nuovo sarà al massimo di un 5%-10%, nel migliore dei casi, o anche meno.
Impostando i timing su 6-6-6-18 1T, provate a rifare i test con impostazioni di SUB timing default, vedrete che le prestazioni scenderanno rispetto alla configurazione più aggressiva di prima, questo proprio perché i primi tempi generano buona parte delle prestazioni delle memorie.
Con questo no voglio minimamente dire che i SUB timing non sono importanti o che quanto scritto da Vincenzo sia sbagliato, anzi, questi timing servono molto anche per stabilizzare e rendere ancora più veloce una configurazione già molto aggressiva.
Un saluto
Marco come si dice a Roma la stiamo "buttando in caciara".
Senza fare una guida sul funzionamento delle RAM stavo solo dissentendo da una tua affermazione che riporto testualmente diceva:
"Memoria 2000MHz cas 6-9-6 24 produrrà un latenza complessiva di 45 ns che sono il valore della somma dei tempi per la durata di ogni colpo di clock.
Questi comunque sono solo i tempi generali bisognerebbe calcolare anche i tempi di fase e refresh, però diciamo che quasi il 90% della velocità di una memoria e data dalla somma dei tempi di CAS, tRP, tRAS, tRCD. "
Perchè la formula della latenza delle RAM che tu hai tirato fuori (e molti altri nel web fanno la stessa cosa basando queste affermazioni su osservazioni empiriche che non hanno alcun riscontro nella teoria) che sarebbe applicabile nel 90% dei casi è errata e non rispecchia quello che succede nella realtà che dipende da molti altri parametri come ho cercato di far intuire nei post precedenti e che porta i valori della latenza a essere enormemente variabili a seconda dello stato in cui si trova la memoria.
Concordo sull'unica cosa vera che si può dire e cioè che tirando i timings e i subtimings le prestazioni delle memorie aumentano, anche se bisognerebbe vedere cosa si intende per prestazioni e come vengono misurate: per esempio l'effetto del tirare i timings e i subtimings è più o meno marcato a seconda del benchamark che si utilizza, e addirittura a seconda del benchmark sono diversi i timings e i subtimings che consentono di ottenere un miglioramento delle prestazioni delle RAM.
Il mio intervento aveva solamente questo scopo, e penso che alla fine anche tu sei d'accordo con me se non ho capito male il senso dei tuoi ultimi post.
Spettabile Zilla,<div style="position:relative;overflow:hidden;">
<p> <font face="Verdana, sans-serif"> <font size="2">In questa recensione analizzeremo un nuovo kit di memorie proposto da G.Skill Memory dal taglio di 4 Gb e dedicato espressamente alla nuova piattaforma Intel Lynnfield Core i7; analizzeremo il comportamento delle memorie valutandone le loro caratteristiche di funzionamento in ogni ambito di utilizzo.</font> </font> </p> <p> <font face="Verdana, sans-serif"> <font size="2">Buona lettura!</font> </font> </p>
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ho letto la sua magnifica recensione e mi sono convinto ad acquistare le memorie da lei recensite ma come sempre quando sembra di aver trovato il prodotto giusto insorgono sempre delle complicazioni.
Avrei alcune domande da porle:
può dirmi, se posso installare questo kit di memoria con un dissipatore Noctua NH-U12P SE2 su motherboard Asus Maximus Formula 3?
So che gli spazi sono ristretti, ma forse si può spostare un pochino verso l'esterno il dissipatore delle memorie?
Posso usare queste memorie com timing originali senza il dissipatore?
La ringrazio per una sua risposta.
Cordiali Saluti
Dimenticavo, se le può essere utile le posto una immagine dove viene raffigurata il dissipatore in questione su motherboard Maximus Formula 3.
Come vede la ventola del dissipatore arriva proprio alla metà esatta del primo slot ddr3.
Gli slot 1 e 3, partendo da destra dalla foto, sarebbero liberi per l'installazione del kit, il problema sta proprio nel dissipatore delle memorie.
La mia intenzione sarebbe di installarlo ma non centrato con le memorie ma spostato un pò a destra.
Saluti
Innanzitutto benvenuto sul nostro forum,
Per il tuo problema, dipende solo da come la scheda inizializza gli slot di memoria, IMC della cpu per funzionare con due soli moduli di memoria deve necessariamente avviarsi con due canali specifici, questo dipende solo da come sono collegate le piste elettriche delle memorie con la CPU.
Generalmente gli Slot primari sono, vedendo la foto, il primo a partire da destra e il penultimo da sinistra.
In questo caso non incorri in nessun problema perché hai abbastanza spazio di manovra per posizionare le memorie. Il problema è la ventola, fornita in dotazione, a mio avviso tocca contro la ventola del Noctua. L'unica alternativa che posso consigliare è di posizionare, sempre se possibile, una ventola supplementare fissandola al case o lateralmente alle ram. In questo caso avresti tutta la ventilazione necessaria per usare tranquillamente le ram anche in overclock.
Concludo lasciando gli ingombri delle memorie e della ventola:
Memorie sono alte 58 mm, misurando dal pettine alla sommità del dissipatore.
La ventola invece è alta 70mm e larga 80mm, montata sugli slot della mainboard diventa 90mm di altezza e 80mm di larghezza. Anche posizionata il più lontano possibile (verso lo slot esterno sulla destra) con buona probabilità tocca contro la ventola del Noctua.
Spero di esserti stato d'aiuto
Un saluto
Ultima modifica di zilla : 24-01-2010 a 10:49
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