Ciao
Penso che questo articolo possa interessare a qualcuno, (me sicuramente) quindi ho deciso di postarlo in modo che rimanga come preziosa memoria nel databse delle sezione
Subito con i crediti:
questo spaziale articolo di XbitLabs
Nell'articolo (prendendo a riferimento una GF3 Visontek) viene descritto il processo con cui il modulatore SC1175CSW genera il voltaggio in uscita per il core GF3 tramite due sorgenti in parallelo, R1 e R12
Vout=1.25x(1+(R12/R1))
Sulla scheda Visontek (reference Nvidia) il valore di R12 e' di 130 Ohm mentre R1 e' di 770 Ohm con un voltaggio di 1.461V:
1.461V=1.25x(1+(0.13/0.77))
l'idea e' quella di mettere un'altra resistenza in parallelo a R1 agganciandola ai pin 18 e 20 del modulatore SC1175CSW per abbassare la resistenza totale di R12 e aumentare il voltaggio prodotto:
nella Asus V8200 e' dietro la scheda, R134 e R138
immagine schema elettricohttp://www.xbitlabs.com/video/geforc.../scheme-cs.gif
R1=(R1xR1')/(R1+R1')
nel caso di Xbit hanno usato una resistenza di 510 Ohm
0.3067=(0.77x0.51)/(0.77+0.51)
mettendo il nuovo valore della resistenza nella formula iniziale si ha:
1.78=1.25x(1+(0.13/0.3067)
cosi' cambiando la resistenza in parallelo con R1 si possono avere diversi Vcore per esempio
ci mettiamo una resistenza di 1000 Ohm:
0.435=(0.77x1)(0.77+1)
1.624V=1.25x(1+(0.13/0.435))
o una da 330 Ohm
0.231=(0.77x0.33)(0.77+0.33)
1.953V=1.25x(1+(0.13/0.231))
per il voltaggio delle memorie la formula e' la stessa. Le DDR della GF3 usano due sorgenti. Una per la circuitazione interna e l'altra per il buffer.
di solito questi voltaggi sono 2.5V interno e 3.3V per il buffer. Su xbit non spiegano bene, ma R15 e' 170 Ohm , R14 e' 100 Ohm, R13 e' 110 Ohm, R11 e' 100 Ohm. R15 e R14 determinano il voltaggio del buffer e R13 e R11 quello interno
Loro hanno cambiato il voltaggio esterno usando un R14 in parallelo usando una resistenza 890 Ohm
quella standard e'
3.37=1.25x(1+(0.17/0.1)
con 890 diventa
0.09=(0.1x0.89)(0.1+0.89)
3.61=1.25x(1+(0.17/0.09))
il voltaggio interno funziona allo stesso modo e di default e':
2.625=1.25x(1+(0.11/0.1))
con una resistenza di 890 Ohm in parallelo a R11 si ottiene un voltaggio di 2.778
0.09=(0.1x0.89)(0.1+0.89)
2.778=1.25x(1+(0.11/0.09))
I risultati parlano da soli nell'articolo...
il core a 250 e' garantito con un buon cooling
per le memorie 570 o giu' di li'
ciao
[Modificato da musmax il 16-07-2001 alle 20:25]