Dubbio stupido: NVME M.2 vs Infinity Fabric

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  1. #21
    bit L'avatar di Black Super Saiyan Rosé
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    Mhhh, no. Te ne accorgi durante un trasferimento di dati, quando le performance crollano di brutto. Ma comunque in uno stato di idle viene “ricaricata”.

  2. #22
    nibble L'avatar di DemaKing
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    Originariamente inviato da Black Super Saiyan Rosé
    Mhhh, no. Te ne accorgi durante un trasferimento di dati, quando le performance crollano di brutto. Ma comunque in uno stato di idle viene “ricaricata”.
    perfetto, grazie mille per i chiarimenti :-)

  3. #23
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    Originariamente inviato da DemaKing
    perfetto, grazie mille per i chiarimenti :-)
    C'è da aggiungere un dettaglio di non poco conto: la cache SLC dinamica sui drive TLC è 1/3 della capienza nominale del drive se tutti i canali sono occupati, 1/6 se solo metà dei canali sono occupati (come coi drive più piccoli), quindi a meno che tu non faccia operazioni da più di 80 GB di spostamenti in una volta (se prendi da 500/512 GB), o di 160/320 GB (se prendi da 1000/1024 GB a seconda che siano occupati tutti i canali o solo metà) non saturerai la cache SLC. Oltretutto ho letto un bel po' di inesattezze: sebbene WD non abbia con l'SN850 le velocità sequenziali migliori, va considerato che con file casuali e da 4 KB le prestazioni sono pari a Samsung, e Sabrent (e tutti i drive basati su Phison E18 e Micron B27, quindi tutti gli SSD da 7000 MB/s tranne i Firecuda 530) è avanti in velocità sequenziali ma dietro in velocità con file casuali e da 4 KB. E questo fattore è essenziale per la velocità di boot e per i tempi di caricamento dei giochi.

    Oltretutto, su PCIe 3.0 il limite di velocità è 3500 in lettura e 3200 MB/s in scrittura, mentre su PCIe 4.0 si tratta di circa 7500 MB/s in lettura e 7200 MB/s in scrittura (che variano in base alla CPU utilizzata in base all'uso di AMD o Intel), non di 5000 MB/s come diceva super saiyan.

    Per rispondere alla tua domanda iniziale, comunque, dato l'esiguo numero di linee PCIe di cui dispongono le CPU Desktop Ryzen e Threadripper, è matematicamente impossibile saturare l'Infinity Fabric, che vi ricordo collega i chiplet tra di loro, i chiplet con l'IO die (cIOd) e il processore con tutti i dispositivi ad esso collegati, inclusi SSD, chipset, porte SATA, USB ecc. Su EPYC il discorso è più particolare visto che su determinati sistemi è possibile saturare la banda passante e mettere in difficoltà il processore, ma non con un paio di SSD: si tratterebbe di configurazioni con RAID da 20 o più drive NVMe. Puoi stare quindi tranquillo sotto quel punto di vista.

    Ignorate poi tutti i discorsi su Megahertz, Megatransfer e quel che volete. Le memorie funzionano con un Double Data Rate (DDR), quindi per ogni singolo segnale vengono trasmessi due dati, e se oggi la frequenza effettiva viene moltiplicata x2 è per dare un termine di paragone con le ormai defunte SDRAM, che invece inviavano un solo dato per segnale.

    Lasciate perdere MT/s e Mbps per indicare la velocità delle RAM: si tratta di valori sparati a caso da un paio di YouTuber che non hanno studiato per bene come funziona un chip di memoria e che ignorano il fatto che un Transfer usato come unità di misura è completamente IMBECILLE, visto che non viene mai specificata la dimensione di questo transfer. Arbitrariamente, un transfer viene indicato come un'oscillazione a salire ed una a scendere del segnale elettrico, in pratica un Hertz, che è l'unità di misura della frequenza delle variazioni di un segnale.

    Comunque sia, per aggiungere altro, sopra i 3600 MHz (1800 MHz freq. Infinity Fabric/IMC/Memorie) non guadagni tanto da giustificare l'esborso necessario a prendere memorie più veloci.
    Ci sono ovviamente casi limite e situazioni dove invece tenere le memorie a 4000 MHz (sincronizzando sempre gli altri 2 clock a 2000 MHz) può trarre vantaggi, ma si tratta di scenari così rari che non noterai differenze in un utilizzo quotidiano.

  4. #24
    bit L'avatar di Black Super Saiyan Rosé
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    Primo punto: ho omesso il punto della cache SLC dinamica per il semplice fatto che SSD come il Sabrent Rocket 4 Plus, il WD SN850, il Samsung 980 PRO e altri dischi usano una cache SLC ibrida. Né dinamica e né statica; o meglio, entrambe, ma non di uno specifico tipo. La cache SLC ibrida prevede di usare sia la dinamica (quindi che permette di avere una grande dimensione, delle performance piuttosto basse e senza una maggiore longevità del disco data la condivisione di una parte dell’usura con la cella NAND TLC/QLC) e sia la statica (quindi che ha una dimensione peggiore della dinamica - e non di poco, ci può essere una differenza che varia da 45 ai 300 GB -, una velocità maggiore - anche qui non di poco, ci può essere una differenza anche di 1000 MB/s - e una longevità maggiore visto che si trova nell’over-provisioning (OP) e non nelle celle NAND TLC/QLC. La cache SLC statica è in grado di far arrivare le NAND fino a 30K/40K PEC, sia TLC che QLC), e Samsung questa tecnologia la definisce con il nome di: “TurboWrite (sia 2.0 che non)” e WD con: “nCache (sia 3.0 che 4.0)”. Sabrent e Crucial (perché sul P5 sia Plus che non è presente) non gli danno un nome specifico. Quindi non capisco nemmeno cosa c’entri il discorso della cache SLC dinamica;

    Secondo punto: gli SSD più recenti più o meno si equivalgono tutti quanti come scrittura/lettura randomica (4K), sia PCIe 3.0 e sia PCIe 4.0. Ormai hanno tutti quanti valori ottimi e alti/altissimi, perciò la differenza è in secondi contati, non in decine di decine (come tra HDD e SSD, sia AHCI che NVMe). Non sto dicendo che non è importante e che non va considerata, perché è l’esatto opposto, però dico che se dovessi scegliere tra un SSD che faccia - per esempio - 1000 MB/s in più dopo la cache SLC e uno che faccia qualche centesimo/secondo in meno nei caricamenti, sceglierei il primo;

    Terzo punto: dato che in un SSD l’importante non è solo la velocità randomica e sequenziale (sia scrittura che lettura), vanno considerati anche i componenti. Come componenti, tra Sabrent Rocket 4 Plus, Samsung 980 PRO e WD SN850 (dato che son quelli che hai menzionato), facendo un’analisi di controller e NAND Flash la scala è: Samsung 980 PRO > Sabrent Rocket 4 Plus > WD SN850.

    Il Samsung 980 PRO ha un controller proprietario marchiato come “Elpis” che è composto da 5 core ARM Cortex-R5, 8 canali totali, 32 CE (chip enable) ed è sui loro 8nm. Il Sabrent Rocket 4 Plus ha il Phison E18 che è un 5 core ARM Cortex-R5 di cui 3 “puri” (ARM Cortex-R5 da 1 GHz) e due non (CoXProcessor - coppia di ARM Cortex-R5 con una frequenza più bassa, da 200 a 300 MHz) e con 8 canali (32 CE totali), il tutto costruito sui 12nm FinFET di TSMC. Per ultimo il WD SN850 ha un controller proprietario marchiato come: “G2” ed è un controller multi-core (molto probabilmente segue la solita architettura a tre core) con anch’esso 8 canali e 32 CE totali. Quest’ultimo è costruito sui 16nm di TSMC su FinFET.
    Quindi: Samsung Elpis (980 PRO) > Phison E18 (Rocket 4 Plus) > WD G2 (SN850) (l’Elpis è superiore avendo solo ARM Cortex-R5 e non CoXProcessor, quindi core aggiuntivi con frequenze peggiori).

    Non dimentichiamoci delle NAND Flash, però (al contrario della DRAM cache visto che sono molto simili, tutte DDR4), dato che sono tutte diverse.
    Il Samsung 980 PRO usa delle 128L TLC prodotte in casa (modello V6), il Sabrent Rocket 4 Plus usa delle 96L TLC di Micron (modello B27A/B27B) e il WD SN850 usa delle 96L TLC di Kioxia (modello BiCS4).
    Le NAND Flash del Samsung 980 PRO sono le migliori sia come affidabilità che come velocità dato che Samsung usa la miglior architettura (replacement gate (RG) su TCAT - una CTF (charge trap flash) “custom”) con la migliore incisione. La loro velocità in termini di MT/s è di massimo 1200, ma visto che i MT/s delle NAND Flash rappresentano più la “potenza” delle NAND nell’interleaving, il program throughput per die è di 82 MB/s. Alto, sicuramente.
    Le NAND Flash del Sabrent Rocket 4 Plus sono le seconde migliori e sono superiori delle Kioxia BiCS4 del WD dato che sono più affidabili (le NAND Flash di Micron fino alle 96L - dalle 128L in su sono replacement gate su TCAT come le Samsung - usano un’architettura floating gate su MOSFET, ed è migliore come affidabilità (perché come performance e scalabilità solitamente - anche se non è questo il caso sono peggiori della CTF su BiCS delle Kioxia) dato che le celle sono isolate (permettendo una minore migrazione degli elettroni tra silicio-floating gate) e che hanno un layer EM (elettromagnetico) che funge da “scudo”. Detto ciò, come velocità le B27B sono migliori delle BiCS4 dato che sono 1200 MT/s (a differenz- delle B27A che sono 800 MT/s con una durata in termini di PEC peggiore) contro 800 MT/s e hanno una velocità maggiore in MB/s per die: 80 per le B27B e 57 per le BiCS4. Ovviamente vengono calcolati senza overhead.
    Quindi, anche per le NAND la scala è così: Samsung V6 (980 PRO) > Micron B27B (Rocket 4 Plus) > Kioxia BiCS4 (SN850);

    Quindi, dopo aver affermato che il 980 PRO e il Rocker 4 Plus seppure con una scrittura e/o lettura randomica peggiore dell’SN850 sono migliori di quest’ultimo, io non ho detto che i PCIe 4.0 raggiungono velocità massime di 5000 MB/s, dato che so benissimo che l’attuale massimo è di circa 7000 MB/s in scrittura, ma sei solo tu che o non hai letto completamente la discussione o hai letto male. Io ho risposto ad una sua domanda dicendo 5000 MB/s per i PCIe 4.0 solo perché lui aveva preso in ballo 5000 MB/s. Se gli avessi detto 7000 MB/s avrebbe pensato che l’SSD che guardava lui facesse 7000 al posto di 5000 MB/s, così riferendo un’informazione possibilmente sbagliata.

    DemaKing: “altro dubbio, se io prendo un m.2 della Samsung che mi va a 5000mb/s e un altro di un altra marca che mi va massimo 3000mb/s, la scheda madre mi considera la velocità di quello da 3000mb/s anche per l'altro o le due velocità rimangono indipendenti?”.

    Io: “Dipende dalla generazione dello slot della tua scheda madre, se PCIe 4.0 potrai arrivare a 5000 MB/s, se PCIe 3.0 e massimo 3000/3500 MB/s.”.

    Sempre io più tardi che cito i 7000 MB/s: “La cache SLC ti permette di avere prestazioni da 5000/7000 o quel che è fin quando non viene saturata, poi quando viene saturata incomincia a scrivere nelle celle delle NAND in TLC e abbassa quindi le performance, perché le TLC son più lente delle SLC.”.

    Per la questione MT/s vs MHz hai colto il punto: va specificata la dimensione del transfer. Bene, le RAM DDR - a differenza delle SDR (che con un 1 Hz trasmettono 1 MT/s) - trasmettono con 1 Hz 2 MT/s, quindi con: “MHz” si intende la frequenza di lavoro del bus I/O delle RAM, e con: “MT/s” si intende la velocità di trasferimento dei dati effettiva delle RAM. Io non uso gli Mbps, quelli li usa Buildzoid per due motivi stupidi che ha detto nel suo video a riguardo di questa questione: 1) perché “MT/s” è difficile da dire ed è lungo e 2) perché tutti i produttori di chip DRAM (Samsung, SK Hynix, Nanya, ecc.) - tranne Micron - usano gli Mbps al posto dei MHz.
    Se comunque i maggiori produttori di chip DRAM usano i MT/s e i Mbps per esprimere la velocità di trasferimento dei dati effettiva dei chip DRAM, non penso che “si tratta di valori sparati a caso da un paio di YouTuber che non hanno studiato per bene come funziona un chip di memoria”…

  5. #25
    nibble L'avatar di DemaKing
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    «Nel mezzo del cammin di nostra vita
    mi ritrovai per una selva oscura,
    ché la diritta via era smarrita.»

    Scusate l' ironia ma leggendo le vostre risposte ho capito di avere parecchio da conoscere sugli M.2 in generale quando invece pensavo bastassero i due tre parametri usati nei benchmark.

    Pare pure che, a detta di super saiyan, il sabrent 4 Plus sia secondo in lista nonostante nei benchmark venga dichiarato inferiore al WD SN850 questo quindi per via di una architettura migliore rispetto a quest'ultimo. Forse giusto il Q4 di Sabrent è penalizzato da un' architettura non recentissima o forse pure il Sabrent 4 NON plus.

    Oppure a conti fatti il 4 Plus finisce a parimerito con il WD?

    Quindi fammi capire, i chip di questi M.2 sono tutti TLC ma la loro cache DRAM è in SLC giusto?
    Ci sono nvme M.2 Pci-e 4.0 x 4 che abbiano sia chip che Dram in SLC? se sì, ci sono dei vantaggi?

  6. #26
    bit L'avatar di Black Super Saiyan Rosé
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    C’è un po’ di confusione, cerco di rispondere a tutto:
    1) esatto, nonostante il Sabrent sembra avere prestazioni peggiori nei benchmark, ha un’architettura (intesa come controller + NAND Flash + DRAM cache - la chiamo così per una migliore comprensione per te, d’altronde è la parte hardware, I componenti) migliore, e questo porta a un’affidabilità migliore. Io non lo ritengo né peggiore né a pari merito, preferisco avere un SSD più affidabile che un SSD con delle performance leggermente superiori (perché si parla di randomica, 4K);
    2) il Sabrent Rocket Q4 è ben diverso, tutti i Sabrent senza la “Q” nel nome sono TLC, quelli con la “Q” - come dice il nome stesso - sono QLC. Le memorie QLC portano a un’affidabilità e a delle performance peggiori rispetto agli SSD con memorie TLC (e con meno bit). Ci sono anche altri svantaggi, come una latenza peggiore nel risolvere gli errori, maggiori stati di tensione, ecc., ma principalmente son questi. D’altro canto, il vantaggioso delle QLC è che sono più economiche e permettono maggiori densità (per questo tutti gli SSD 8 TB attuali sono QLC e non TLC). Il Sabrent Rocket Q4 è peggiore sia del 980 PRO, sia dell’SN850 e sia del Rocket 4 Plus;
    3) “i chip di questi M.2 sono tutti TLC ma la loro cache DRAM è in SLC giusto?” partendo con le memorie, dipende dall’SSD: alcuni SSD M.2 (ma anche non-M.2 e quindi 2.5’’ - quelli nei box con interfaccia SATA) hanno chip (o meglio, memorie, definite anche come: “NAND Flash”) TLC altri QLC e altri ancora (come il Samsung 970 PRO) MLC. La scala dal meglio al peggio come NAND è: SLC > eMLC (enterprise MLC) > MLC > TLC > QLC > PLC (ancora non presenti nel mercato). Poi ovvio che ci sono diversi modelli di SLC, MLC, TLC, QLC, ecc., e che comunque ci sono differenze tra questi modelli e tra produttori. Anche se dello stesso tipo, ci possono essere grandi differenze come affidabilità e prestazioni.

    Per il discorso della DRAM cache in SLC (“ma la loro cache DRAM è in SLC giusto?) è sbagliato. Una DRAM cache è una DRAM cache, non funge in SLC. La SLC cache è una cache appunto di tipo SLC che si trova o nella cella NAND (se di tipo dinamica) o nell’over-provisioning (OP). C’è questa cache per migliorare la velocità in scrittura sequenziale degli SSD (cioè durante un trasferimento o un download di un gioco da Steam, per esempio). Durante la cache SLC le celle vengono scritte in un bit (Single Level Cell) anche se sono TLC, mentre quando viene saturata poi le celle vengono scritte in TLC. Per svuotare la cache SLC tu non devi fare niente, perché fa tutto il controller in automatico in uno stato di idle (il tempo di svuotamento dipende anche dal controller in sé, da quanto è grande la cache SLC, ecc.)

    “Ci sono nvme M.2 Pci-e 4.0 x 4 che abbiano sia chip che Dram in SLC? se sì, ci sono dei vantaggi?” leggi cosa ho scritto sopra. Ci sono SSD (sia M.2 PCIe/SATA AHCI/NVMe che non) che hanno sia la DRAM cache che la cache SLC. La cache SLC non è niente di così “speciale” da avere, è ormai diffusa in tutti gli SSD più recenti, pure nei SATA 2.5’’. Piuttosto è più difficile avere una DRAM cache la cache SLC.

    Il mondo degli SSD in generale non è affatto semplice da comprendere al 100%, io leggo giornalmente documenti su documenti in altre lingue. Per me è ormai una passione, come lo è l’hardware in generale.
    Se comunque hai ancora dubbi perché non mi sono espresso bene e non hai capito del tutto, chiedi pure, io sono qui, mi fa solo piacere rispondere a domande del genere.
    Ultima modifica di Black Super Saiyan Rosé : 14-08-2021 a 23:42

  7. #27
    nibble L'avatar di DemaKing
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    Originariamente inviato da Black Super Saiyan Rosé
    C’è un po’ di confusione, cerco di rispondere a tutto:
    1) esatto, nonostante il Sabrent sembra avere prestazioni peggiori nei benchmark, ha un’architettura (intesa come controller + NAND Flash + DRAM cache - la chiamo così per una migliore comprensione per te, d’altronde è la parte hardware, I componenti) migliore, e questo porta a un’affidabilità migliore. Io non lo ritengo né peggiore né a pari merito, preferisco avere un SSD più affidabile che un SSD con delle performance leggermente superiori (perché si parla di randomica, 4K);
    2) il Sabrent Rocket Q4 è ben diverso, tutti i Sabrent senza la “Q” nel nome sono TLC, quelli con la “Q” - come dice il nome stesso - sono QLC. Le memorie QLC portano a un’affidabilità e a delle performance peggiori rispetto agli SSD con memorie QLC. Ci sono anche altri svantaggi, come una latenza peggiore nel risolvere gli errori, maggiori stati di tensione, ecc., ma principalmente son questi. D’altro canto, il vantaggioso delle QLC è che sono più economiche e permettono maggiori densità (per questo tutti gli SSD 8 TB attuali sono QLC e non TLC). Il Sabrent Rocket Q4 è peggiore sia del 980 PRO, sia dell’SN850 e sia del Rocket 4 Plus;
    3) “i chip di questi M.2 sono tutti TLC ma la loro cache DRAM è in SLC giusto?” partendo con le memorie, dipende dall’SSD: alcuni SSD M.2 (ma anche non-M.2 e quindi 2.5’’ - quelli nei box con interfaccia SATA) hanno chip (o meglio, memorie, definite anche come: “NAND Flash”) TLC altri QLC e altri ancora (come il Samsung 970 PRO) MLC. La scala dal meglio al peggio come NAND è: SLC > eMLC (enterprise MLC) > MLC > TLC > QLC > PLC (ancora non presenti nel mercato). Poi ovvio che ci sono diversi modelli di SLC, MLC, TLC, QLC, ecc., e che comunque ci sono differenze tra questi modelli e tra produttori. Anche se dello stesso tipo, ci possono essere grandi differenze come affidabilità e prestazioni.

    Per il discorso della DRAM cache in SLC (“ma la loro cache DRAM è in SLC giusto?) è sbagliato. Una DRAM cache è una DRAM cache, non funge in SLC. La SLC cache è una cache appunto di tipo SLC che si trova o nella cella NAND (se di tipo dinamica) o nell’over-provisioning (OP). C’è questa cache per migliorare la velocità in scrittura sequenziale degli SSD (cioè durante un trasferimento o un download di un gioco da Steam, per esempio). Durante la cache SLC le celle vengono scritte in un bit (Single Level Cell) anche se sono TLC, mentre quando viene saturata poi le celle vengono scritte in TLC. Per svuotare la cache SLC tu non devi fare niente, perché fa tutto il controller in automatico in uno stato di idle (il tempo di svuotamento dipende anche dal controller in sé, da quanto è grande la cache SLC, ecc.)

    “Ci sono nvme M.2 Pci-e 4.0 x 4 che abbiano sia chip che Dram in SLC? se sì, ci sono dei vantaggi?” leggi cosa ho scritto sopra. Ci sono SSD (sia M.2 PCIe/SATA AHCI/NVMe che non) che hanno sia la DRAM cache che la cache SLC. La cache SLC non è niente di così “speciale” da avere, è ormai diffusa in tutti gli SSD più recenti, pure nei SATA 2.5’’. Piuttosto è più difficile avere una DRAM cache la cache SLC.

    Il mondo degli SSD in generale non è affatto semplice da comprendere al 100%, io leggo giornalmente documenti su documenti in altre lingue. Per me è ormai una passione, come lo è l’hardware in generale.
    Se comunque hai ancora dubbi perché non mi sono espresso bene e non hai capito del tutto, chiedi pure, io sono qui, mi fa solo piacere rispondere a domande del genere.
    Ti ringrazio.
    La frase in grassetto dovrebbe contenere un errore se sono stato attento. L' ultimo QLC della frase è in realtà TLC?
    Quando dici che una DRAM cache è più difficile da avere significa che questa apporta delle migliorie rispetto alla cache slc? Piuttosto, la cache SLC e la DRAM cache possono coesistere nello stesso SSD M.2?

    Anche a me piace molto argomentarmi sull' hardware del computer in qualità di ex-assistente informatico, anche se ora ho "dovuto" lasciare la presa e dedicarmi ad altro come programmazione e arti digitali.

  8. #28
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    Sì ti chiedo scusa, ho appena modificato. Le QLC son peggiori delle TLC, MLC, eMLC e SLC.

    No, dico semplicemente che per implementare una DRAM cache serve aumentare i costi 1) per il controller (deve avere integrato il DRAM controller, cosa non da un tutti - guarda la serie “XT” e “T” rispettivamente di Silicon Motion e Phison che sono tutti controller DRAM-less) e 2) per installare il chip in sé. La DRAM cache e la SLC cache possono stare insieme eccome: tutti gli SSD precedentemente citati li hanno entrambi hanno in un disco solo. Ma anche altri di fascia più bassa e di formato diverso (per i SATA MX500, 860 EVO/870 EVO, Lexar NS200, Kingston KC600, ecc.).

  9. #29
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    Originariamente inviato da Black Super Saiyan Rosé
    Primo punto: ho omesso il punto della cache SLC dinamica per il semplice fatto che SSD come il Sabrent Rocket 4 Plus, il WD SN850, il Samsung 980 PRO e altri dischi usano una cache SLC ibrida. Né dinamica e né statica; o meglio, entrambe, ma non di uno specifico tipo. La cache SLC ibrida prevede di usare sia la dinamica (quindi che permette di avere una grande dimensione, delle performance piuttosto basse e senza una maggiore longevità del disco data la condivisione di una parte dell’usura con la cella NAND TLC/QLC) e sia la statica (quindi che ha una dimensione peggiore della dinamica - e non di poco, ci può essere una differenza che varia da 45 ai 300 GB -, una velocità maggiore - anche qui non di poco, ci può essere una differenza anche di 1000 MB/s - e una longevità maggiore visto che si trova nell’over-provisioning (OP) e non nelle celle NAND TLC/QLC. La cache SLC statica è in grado di far arrivare le NAND fino a 30K/40K PEC, sia TLC che QLC), e Samsung questa tecnologia la definisce con il nome di: “TurboWrite (sia 2.0 che non)” e WD con: “nCache (sia 3.0 che 4.0)”. Sabrent e Crucial (perché sul P5 sia Plus che non è presente) non gli danno un nome specifico. Quindi non capisco nemmeno cosa c’entri il discorso della cache SLC dinamica;

    Secondo punto: gli SSD più recenti più o meno si equivalgono tutti quanti come scrittura/lettura randomica (4K), sia PCIe 3.0 e sia PCIe 4.0. Ormai hanno tutti quanti valori ottimi e alti/altissimi, perciò la differenza è in secondi contati, non in decine di decine (come tra HDD e SSD, sia AHCI che NVMe). Non sto dicendo che non è importante e che non va considerata, perché è l’esatto opposto, però dico che se dovessi scegliere tra un SSD che faccia - per esempio - 1000 MB/s in più dopo la cache SLC e uno che faccia qualche centesimo/secondo in meno nei caricamenti, sceglierei il primo;

    Terzo punto: dato che in un SSD l’importante non è solo la velocità randomica e sequenziale (sia scrittura che lettura), vanno considerati anche i componenti. Come componenti, tra Sabrent Rocket 4 Plus, Samsung 980 PRO e WD SN850 (dato che son quelli che hai menzionato), facendo un’analisi di controller e NAND Flash la scala è: Samsung 980 PRO > Sabrent Rocket 4 Plus > WD SN850.

    Il Samsung 980 PRO ha un controller proprietario marchiato come “Elpis” che è composto da 5 core ARM Cortex-R5, 8 canali totali, 32 CE (chip enable) ed è sui loro 8nm. Il Sabrent Rocket 4 Plus ha il Phison E18 che è un 5 core ARM Cortex-R5 di cui 3 “puri” (ARM Cortex-R5 da 1 GHz) e due non (CoXProcessor - coppia di ARM Cortex-R5 con una frequenza più bassa, da 200 a 300 MHz) e con 8 canali (32 CE totali), il tutto costruito sui 12nm FinFET di TSMC. Per ultimo il WD SN850 ha un controller proprietario marchiato come: “G2” ed è un controller multi-core (molto probabilmente segue la solita architettura a tre core) con anch’esso 8 canali e 32 CE totali. Quest’ultimo è costruito sui 16nm di TSMC su FinFET.
    Quindi: Samsung Elpis (980 PRO) > Phison E18 (Rocket 4 Plus) > WD G2 (SN850) (l’Elpis è superiore avendo solo ARM Cortex-R5 e non CoXProcessor, quindi core aggiuntivi con frequenze peggiori).

    Non dimentichiamoci delle NAND Flash, però (al contrario della DRAM cache visto che sono molto simili, tutte DDR4), dato che sono tutte diverse.
    Il Samsung 980 PRO usa delle 128L TLC prodotte in casa (modello V6), il Sabrent Rocket 4 Plus usa delle 96L TLC di Micron (modello B27A/B27B) e il WD SN850 usa delle 96L TLC di Kioxia (modello BiCS4).
    Le NAND Flash del Samsung 980 PRO sono le migliori sia come affidabilità che come velocità dato che Samsung usa la miglior architettura (replacement gate (RG) su TCAT - una CTF (charge trap flash) “custom”) con la migliore incisione. La loro velocità in termini di MT/s è di massimo 1200, ma visto che i MT/s delle NAND Flash rappresentano più la “potenza” delle NAND nell’interleaving, il program throughput per die è di 82 MB/s. Alto, sicuramente.
    Le NAND Flash del Sabrent Rocket 4 Plus sono le seconde migliori e sono superiori delle Kioxia BiCS4 del WD dato che sono più affidabili (le NAND Flash di Micron fino alle 96L - dalle 128L in su sono replacement gate su TCAT come le Samsung - usano un’architettura floating gate su MOSFET, ed è migliore come affidabilità (perché come performance e scalabilità solitamente - anche se non è questo il caso sono peggiori della CTF su BiCS delle Kioxia) dato che le celle sono isolate (permettendo una minore migrazione degli elettroni tra silicio-floating gate) e che hanno un layer EM (elettromagnetico) che funge da “scudo”. Detto ciò, come velocità le B27B sono migliori delle BiCS4 dato che sono 1200 MT/s (a differenz- delle B27A che sono 800 MT/s con una durata in termini di PEC peggiore) contro 800 MT/s e hanno una velocità maggiore in MB/s per die: 80 per le B27B e 57 per le BiCS4. Ovviamente vengono calcolati senza overhead.
    Quindi, anche per le NAND la scala è così: Samsung V6 (980 PRO) > Micron B27B (Rocket 4 Plus) > Kioxia BiCS4 (SN850);

    Quindi, dopo aver affermato che il 980 PRO e il Rocker 4 Plus seppure con una scrittura e/o lettura randomica peggiore dell’SN850 sono migliori di quest’ultimo, io non ho detto che i PCIe 4.0 raggiungono velocità massime di 5000 MB/s, dato che so benissimo che l’attuale massimo è di circa 7000 MB/s in scrittura, ma sei solo tu che o non hai letto completamente la discussione o hai letto male. Io ho risposto ad una sua domanda dicendo 5000 MB/s per i PCIe 4.0 solo perché lui aveva preso in ballo 5000 MB/s. Se gli avessi detto 7000 MB/s avrebbe pensato che l’SSD che guardava lui facesse 7000 al posto di 5000 MB/s, così riferendo un’informazione possibilmente sbagliata.

    DemaKing: “altro dubbio, se io prendo un m.2 della Samsung che mi va a 5000mb/s e un altro di un altra marca che mi va massimo 3000mb/s, la scheda madre mi considera la velocità di quello da 3000mb/s anche per l'altro o le due velocità rimangono indipendenti?”.

    Io: “Dipende dalla generazione dello slot della tua scheda madre, se PCIe 4.0 potrai arrivare a 5000 MB/s, se PCIe 3.0 e massimo 3000/3500 MB/s.”.

    Sempre io più tardi che cito i 7000 MB/s: “La cache SLC ti permette di avere prestazioni da 5000/7000 o quel che è fin quando non viene saturata, poi quando viene saturata incomincia a scrivere nelle celle delle NAND in TLC e abbassa quindi le performance, perché le TLC son più lente delle SLC.”.

    Per la questione MT/s vs MHz hai colto il punto: va specificata la dimensione del transfer. Bene, le RAM DDR - a differenza delle SDR (che con un 1 Hz trasmettono 1 MT/s) - trasmettono con 1 Hz 2 MT/s, quindi con: “MHz” si intende la frequenza di lavoro del bus I/O delle RAM, e con: “MT/s” si intende la velocità di trasferimento dei dati effettiva delle RAM. Io non uso gli Mbps, quelli li usa Buildzoid per due motivi stupidi che ha detto nel suo video a riguardo di questa questione: 1) perché “MT/s” è difficile da dire ed è lungo e 2) perché tutti i produttori di chip DRAM (Samsung, SK Hynix, Nanya, ecc.) - tranne Micron - usano gli Mbps al posto dei MHz.
    Se comunque i maggiori produttori di chip DRAM usano i MT/s e i Mbps per esprimere la velocità di trasferimento dei dati effettiva dei chip DRAM, non penso che “si tratta di valori sparati a caso da un paio di YouTuber che non hanno studiato per bene come funziona un chip di memoria”…
    Tutti gli SSD di cui stiamo parlando adottano una cache dinamica. L'unica differenza è che Samsung ha una dimensione MINIMA della cache, cosa che potrebbe far sembrare sia la miglior soluzione, ma che in realtà riduce la quantità massima di GB di cache a circa 100 per ogni Terabyte. Un valore infimo rispetto agli altri, quindi non so quanto sia vantaggiosa questa modalità "ibrida" (con le virgolette, visto che data la variabilità della dimensione è per definizione dinamica). Il discorso della cache dinamica l'ho fatto perché l'hai menzionata tu nel commento #19, dicendo che le prestazioni iniziano a scendere man mano che si riempie il drive, cosa che invece non funziona così, visto che hai rallentamenti solo se sposti molti GB consecutivi su un drive. Anche a drive al 50% di spazio occupato (che è come recensisco io i drive per metterli alla prova), i rallentamenti sono (tranne casi specifici dove il controller è particolarmente sottopotenziato) al massimo del 5%, mentre se invece fosse un discorso di cache SLC si parlerebbe di perdite prestazionali ben più importanti. Tra le altre cose Samsung ha avuto parecchi problemi proprio con la SLC Cache di cui dispone, quindi boh, non mi pare il miglior approccio del mondo.

    Secondo punto: no, guarda, gli SSD non si equivalgono proprio per niente, e anzi la velocità con i file casuali da 4 KB è uno dei fattori determinanti nella differenziazione dei livelli di performance tra le varie piattaforme (InnoGrit, Phison, Western Digital, Samsung). Phison è risaputamente la peggiore con quei file. In compenso in sequenziale è la piattaforma più veloce insieme ad InnoGrit.
    A livello di componenti non farei una classifica sinceramente. Si tratta di speculazioni tue personali basate e nulla più, specie sul discorso NAND. Sabrent, Mushkin, Corsair, e tutti gli altri brand che montano Phison sono dotati di NAND Micron o KIOXIA (quella che una volta era Toshiba, ovvero l'azienda che ha inventato le memorie flash), Samsung oggi ha soltanto la produzione più vasta dalla sua parte, non necessariamente il miglior tipo di NAND, anche perché dalla serie 970 Pro alla serie 980 Pro ha fatto tanto scalpore il passaggio da NAND MLC a NAND TLC. Western Digital sull'SN850 monta comunque componenti di SanDisk, che in termini di numeri vende più delle altre due piattaforme messe insieme, grazie allo spettro di prodotti più ampio: decisamente un'azienda con tantissima esperienza. Dire così, di sana pianta, X è meglio di Y che è meglio di Z sul discorso NAND mi sembra un po' "fragile" come argomentazione.

    Lato controller, l'Elpis e l'E18 sono incredibilmente simili, entrambi su architettura ARM Cortex-R5 dalla stessa frequenza. Dell'Elpis non si sa il numero esatto di core, ma non so dove tu abbia letto 5 core né so dove tu abbia letto che l'E18 abbia due coprocessori, quando invece CoXProcessor è una tecnologia INTERNA ai controller Phison. Si tratta di un Power State a basso consumo per migliorare il consumo di corrente specificamente nei laptop. Puoi andare a controllare tu stesso cercando "CoXProcessor" o i datasheet del Phison E18. Il controller Western Digital, invece, non ha alcun tipo di specifica pubblica, quindi non mi permetto di fare alcuna speculazione a riguardo, specie perché è difficile si tratti di un controller tri-core come l'E18 visto il Gaming Mode nel software in bundle che incrementa fortemente le prestazioni in ogni campo. Ecco, quello è più probabile abbia dei co-processori

    Lato NAND: Samsung ha avuto un enorme calo di affidabilità passando da MLC a TLC, e che utilizzi quelle a 128 Layer significa soltanto che paga meno i chip (che produce in-house) rispetto a quelli a 96 Layer della concorrenza. C'è anche da dire che il tuo bias nei confronti dei chip Samsung è davvero fuorviante, visto che al momento le NAND Flash più veloci in assoluto sono quelle Micron B47R Fortis che monta il FireCuda 530 (che escludevo dai discorso generali del mio post precedente proprio perché è l'SSD più veloce in commercio in ogni campo, senza dimenticare che arriva anche a 4 TB di capacità).

    C'è anche da aggiungere che Samsung presenta le peggiori performance in scrittura della classe 7000 MB/s, visto che al massimo riesce a scrivere a 5100 MB/s se ricordo bene, valore circa del 25% inferiore alla concorrenza che arriva agilmente anche a 6900 MB/s. A livello di affidabilità le Samsung non sono le migliori. Come ho già detto, quelle sono le B47R di Micron. Samsung per il drive da 1 TB porta 600 TBW di endurance, il valore più basso nella classe da 7000 MB/s. Anche Phison presenta 700 TBW sul modello da 1 TB. Poi puoi copincollare qualsiasi dato dai datasheet che vuoi, ma se è solo marketing chit-chat e alla fine le prestazioni sono al di sotto della concorrenza, vale davvero poco.

    La miglior architettura di cosa, poi? Non puoi paragonare processi a 128 Layer (che poi sono 136 ma lasciam stare) con i 96 Layer della concorrenza, che tra l'altro sono anche di produttori diversi quindi fabbricati in modo completamente diverso. In pratica è come paragonare il 14 nm di AMD con quello di Intel. Insensato. Poi oh, su Western Digital ci sono i BiCS4 (che in pratica indica le V-Nand a sviluppo verticale) ok, ma li produce Kioxia (Toshiba) che le memorie NAND le ha inventate.
    Altra inesattezza: si parla di MB per pin, non per die, così come i Megatransfers. Indicano la velocità per pin, quindi senza sapere con quanti pin è saldato un chip su un PCB è un valore senza senso. Come appunto dicevo nel mio commento precedente. Anche i Mbps indicano la velocità per pin, per questo è un'unità di misura inutile ai fini di un foglio di specifiche per l'utente finale.

    Avrò letto male per il punto successivo sulla velocità dei drive, quindi chiedo venia. Rimane però il fatto che sì, i produttori indicano la velocità in MT e Mbps, ma lo fanno per singoli chip, non per l'intero stick di RAM, e ancora una volta sono unità di misura per pin, quindi rendendo estremamente fuorviante un foglio delle specifiche se letto senza il dovuto contesto. Per questo motivo, dire che le RAM vanno a numero X di MT/s è assolutamente insensato, visto che è come dire che un'auto è veloce o lenta a seconda del numero di giri del motore. E le marce? E la dimensione delle ruote? E la perdita di potenza dovuta agli attriti?

    Per questo motivo, usare MHz è molto più sensato, uniforme con il pensiero su cui si basa il principio DDR. Sulle schede video, ad esempio, ha completamente senso indicare la velocità delle memorie in Gbps, perché insieme alla quantità di Gbps che spostano vengono indicate anche la frequenza, l'ampiezza del bus e la dimensione dei pacchetti (che è sempre un byte, una WORD), rendendo la bandwidth calcolabile.

    Se si dovesse fare la stessa cosa, per memorie (ad esempio) da 4000 MHz bisognerebbe fare un discorso del tipo: se è un solo banco, allora bisogna moltiplicare 2000 (freq. base) x 2 (sono DDR, double data rate) x 64 bit (single channel) : 8 (per convertire da bit a byte), ovvero 32000 MB/s massimi di trasferimento per singolo banco. Se ci fai caso, infatti, le memorie DDR4 da 4000 MHz hanno l'industry standard PC4-32000 proprio a indicare tale valore. In dual channel moltiplichi per due e ti trovi 64000 MB/s, che è la massima quantità di dati al secondo che un kit dual channel da 4000 MHz può trasportare.

    Capisci quindi che adottare MT/s e MBps in funzione di unità di velocità rende tale velocità di un kit di memoria dipendente dal numero di canali della piattaforma. La frequenza invece è un valore slegato dalla piattaforma e dal numero di canali, e quindi universalmente considerata come un valore più descrittivo del megatransfer, che tra l'altro nessuno usa, né a livello di brand visto che Micron li usa solo per spiegare: https://www.crucial.com/support/memo...-compatability né a livello di ingegneria elettronica lato developer. Insomma, sono unità di misura che vanno contestualizzate e non usate a caso perché uno YouTuber ha visto un datasheet di un chip​ di memoria e ha iniziato a usarlo da allora. Contesti, contesti, contesti.

  10. #30
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    Originariamente inviato da DemaKing
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    mi ritrovai per una selva oscura,
    ché la diritta via era smarrita.»

    Scusate l' ironia ma leggendo le vostre risposte ho capito di avere parecchio da conoscere sugli M.2 in generale quando invece pensavo bastassero i due tre parametri usati nei benchmark.

    Pare pure che, a detta di super saiyan, il sabrent 4 Plus sia secondo in lista nonostante nei benchmark venga dichiarato inferiore al WD SN850 questo quindi per via di una architettura migliore rispetto a quest'ultimo. Forse giusto il Q4 di Sabrent è penalizzato da un' architettura non recentissima o forse pure il Sabrent 4 NON plus.

    Oppure a conti fatti il 4 Plus finisce a parimerito con il WD?

    Quindi fammi capire, i chip di questi M.2 sono tutti TLC ma la loro cache DRAM è in SLC giusto?
    Ci sono nvme M.2 Pci-e 4.0 x 4 che abbiano sia chip che Dram in SLC? se sì, ci sono dei vantaggi?
    Ma ti pare, quale scuse, non parlo per Black perché non lo conosco, ma io faccio recensioni da quasi 13 anni quindi si tratta di conoscenza necessaria a fare un lavoro adeguato.

    Detto questo, in termini di velocità sequenziali, l'ordine è come segue:
    -Seagate Firecuda 530
    -Tutti gli SSD su Phison E18 (Corsair MP600 Pro, Sabrent Rocket 4 Plus, ecc.)
    -WD SN850
    -Samsung 980 Pro

    In termini di velocità con file da 4 KB, invece:
    -Seagate Firecuda 530
    -Samsung 980 Pro
    -WD SN850
    -Tutti gli SSD su Phison E18


    A livello di prezzo, però, per il taglio da 1 TB è come segue:
    -Samsung 980 Pro - 196 € (https://amzn.to/3iQeUZw)
    -Sabrent Rocket 4 Plus (che è quello più economico su Phison E18) - 199€ (https://amzn.to/37Iqz6f)
    -WD SN850 - 219€ (https://amzn.to/3iQvkRD)
    -Seagate Firecuda 530 - 270 € (https://amzn.to/3g2DPHu)

    Senza dimenticare che Samsung e Western Digital si fermano a 2 TB, mentre tutti quelli su E18 (incluso il Firecuda 530, che però monta delle memorie NAND più veloci) arrivano a 4 TB. Magari a te non interessa, però è giusto riportare un'offerta più vasta

    Detto questo, con i caricamenti coi giochi e con un utilizzo di tipo non professionale, non noterai la differenza tra SSD da 3500, 5000 e 7000 MB/s, qualsiasi essi siano, e probabilmente nemmeno con un SSD SATA che non sia una cinesata. Se invece l'utilizzo del PC è un pelo più serio (editing, rendering), dove le velocità sequenziali sono importanti, una soluzione su E18 secondo mia opinione personale è quella ideale, grazie al giusto rapporto prezzo/prestazioni.

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