Controller MEX e 3D V-NAND per un SSD veloce e molto equilibrato ...
Circa due anni fa Samsung irrompeva nel mercato retail degli SSD SATA III con il modello 840 PRO, il quale, ancora oggi, si colloca tra i più performanti ed affidabili drive in circolazione.
Da allora il produttore coreano non è stato di certo con le mani in mano ma, al contrario, ha sempre portato soluzioni innovative in questo specifico settore andando ad introdurre, con l'uscita del modello Samsung 840 EVO, le tecnologie proprietarie TurboWrite e RAPID.
Tenendo fede al proprio continuo impegno ed avendo l'indubbio vantaggio di produrre "in house" i principali componenti dei suoi prodotti, abbiamo potuto assistere, ormai due mesi fa, al lancio del suo nuovo SSD di punta, il Samsung 850 PRO.
Progettare un drive che fosse in grado di rimpiazzare l'ottimo 840 PRO non è stata una facile impresa, ma anche questa volta Samsung ha saputo calare l'asso introducendo le nuove 3D V-NAND di seconda generazione a 32 strati, le quali, almeno sulla carta, promettono il doppio della densità, della durata e della velocità di scrittura supportata, nonché sino al 40% di consumo energetico in meno rispetto alle tradizionali NAND Flash 2D con processo produttivo a 20nm.
Grazie a queste nuove memorie ed al controller MEX triple-core ereditato dal 840 EVO, le prestazioni dichiarate per questo nuovo SSD sono di tutto rispetto andando a superare, seppur di poco, quelle del suo predecessore.
Il Samsung 850 PRO è stato dotato, inoltre, della rinnovata funzionalità RAPID (Real-time Accelerated Processing of I/O Data) con un'aumentata capacità di gestione di caching dei dati sulla RAM di sistema.
Attivando suddetta funzionalità tramite l'ultima release del Samsung Magician Software (Ver. 4.4), si può ora utilizzare, in virtù di un migliorato algoritmo di gestione dei dati, sino a 4GB di RAM, sempre che si abbia a disposizione un quantitativo totale pari ad almeno 16GB.
Il Samsung 850 PRO è disponibile nei tagli da 128, 256, 512 e 1TB ed è accompagnato da una garanzia di ben 10 anni evidenziando, quindi, una estrema affidabilità del prodotto stesso.
Nella tabella sottostante vengono riportate le principali caratteristiche tecniche del modello da 512GB protagonista della nostra odierna recensione ed identificato dal produttore con Part Number MZ-7KE512.
Specifiche
Modello MZ-7TK512 Capacità 512GB Velocità sequenziale massima Lettura 550 MB/s - Scrittura 520 MB/s Velocità di lettura Random 4kB (QD 32) 100.000 IOPS Velocità di scrittura Random 4kB (QD 32) 90.000 IOPS Interfaccia SATA III retrocompatibile SATA II Hardware Controller MEX 3-core - Samsung 32 layer 3D V-NAND - 512MB di Cache SDRAM LPDDR2 Supporto set di comandi TRIM, S.M.A.R.T., NCQ, ATA/ATAPI-8 Supporto DATA Encryption AES 256bit Full Disk Encryption (Class 0) TCG/Opal, IEEE 1667 Garanzia 10 anni Consumo Active read/write average 3,2W - Idle 0,4W -
DevSleep 2mWTemperatura operativa 0°-70° Fattore di forma 2,5" Dimensioni e peso 100 x 69,5 x 6.8 mm - 66g Shock operativo 1500G x 0.5ms MTBF 2.000.000 ore Software in dotazione Samsung Magician - Samsung SmartMigration
Di seguito le principali differenze prestazionali tra i vari modelli attualmente disponibili.
Prestazioni
Modello MZ-7KE128 MZ-7KE256 MZ-7KE512 MZ-7KE1T0 Capacità 128GB 256GB 512GB 1TB SDRAM Cache 256MB 512MB 512MB 1GB Seq. Read Speed 550 MB/s 550 MB/s 550 MB/s 550 MB/s Seq. Write Speed 470 MB/s 520 MB/s 520 MB/s 520 MB/s Random Read Speed (IOPS 4kB) 100.000 100.000 100.000 100.000 Random Write Speed (IOPS 4kB) 90.000 90.000 90.000 90.000
Buona lettura!
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