Il successo degli SSD della serie EVO, iniziato nel 2013 con il modello 840 e bissato di recente con il nuovo 850, è frutto del notevole lavoro svolto dai progettisti Samsung, in grado di realizzare prodotti con prestazioni abbastanza vicine ai modelli della serie Pro, ma con un prezzo di vendita di gran lunga inferiore.
Per ottenere il giusto mix tra prestazioni e prezzo al pubblico il colosso coreano ha cercato di contenere i costi sfruttando talvolta controller di precedente generazione ma, soprattutto, facendo ricorso alla modalità di memorizzazione a 3 bit per cella.
Tale tecnologia, sperimentata con successo utilizzando NAND Flash TLC a 19nm di tipo planare sulla serie 840 EVO, è stata ulteriormente affinata nella recente serie 850 EVO implementandola sulle prestanti memorie 3D V-NAND Flash.
Parallelamente, poi, allo sviluppo di NAND Flash di tipo tridimensionale, Samsung ha anche migliorato il processo produttivo delle memorie "planari" di tipo TLC portandolo a 16nm.
Tale risultato ha spinto il produttore a lanciare sul mercato una nuova serie di SSD che, a fronte di prestazioni e durata leggermente inferiori rispetto ai modelli della serie 850 EVO, rappresentano una scelta particolarmente vantaggiosa per l'utente finale.
Tale serie, denominata Samsung 750 EVO, prevedeva inizialmente soltanto i tagli da 120GB e 250GB, ai quali è stata di recente aggiunta la variante da 500GB che sarà oggetto della nostra recensione.
Tutti i modelli beneficiano della tecnologia proprietaria TurboWrite che, in determinati ambiti operativi, contribuisce in gran parte al raggiungimento delle performance in scrittura dichiarate.
Come gli SSD della serie 850 EVO ed 850 Pro, anche i nuovi 750 EVO supportano la funzionalità RAPID (Real-time Accelerated Processing of I/O Data) in grado di sfruttare dinamicamente la RAM di sistema creando una sorta di RAM Disk per il caching dei dati.
Non mancano, infine, funzionalità inerenti la sicurezza come la crittografia dei dati conforme allo standard TCG Opal 2.0, AES 256 bit e IEEE-1667 e quelle riguardanti il risparmio energetico quali DevSleep, che permette di ridurre ulteriormente i consumi in fase di idle.
Di seguito le tabelle che illustrano le principali specifiche tecniche del Samsung MZ-750500 in prova e le differenze prestazionali esistenti fra i tre modelli disponibili.
Specifiche tecniche
| Modello | MZ-750500 |
| Capacità | 500GB |
| Velocità sequenziale massima | Lettura 540 MB/s - Scrittura 520 MB/s |
| Interfaccia | SATA III |
| Hardware | Controller Samsung MGX - Memorie Samsung TLC 16nm - DRAM LPDDR3 512MB |
| Supporto DATA Encryption | AES 256 bit Full Disk Encryption (Class 0) TCG/OPAL 2.0, IEEE-1667 |
| Supporto set di comandi | Â TRIM, S.M.A.R.T., NCQ, ATA/ATAPI-8 |
| Consumo | Medio 2,3W, Max. 2,5W - Idle Max. 50mW - DevSleep 6mW |
| Temperatura operativa | 0 °C - 70 °C |
| Fattore di forma | Â 2,5" |
| Dimensioni e peso | 100 x 69,85 x 6,8mm |
| Shock operativo | 1500G x 0.5ms |
| MTBF | Â 1.500.000 ore |
| Garanzia | 3 anni |
| Software in dotazione | Samsung Magician |
Prestazioni
| Modello | MZ-750120 | MZ-750250 | MZ-750500 |
| Capacità | 120GB | 250GB | 500GB |
| SDRAM Cache | 256MB | 256MB | 512MB |
| Seq. Read Speed | 540 MB/S | 540 MB/s | 540 MB/s |
| Seq. Write Speed | 520 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s |
| Random Read Speed (IOPS 4kB) | 94.000 | 97.000 | 98.000 |
| Random Write Speed (IOPS 4kB) | 88.000 | 88.000 | 88.000 |
Buona lettura!
