Il futuro degli SSD non sarà così solido ... - [NEWS]

[giampa]

I ricercatori dell'Università di San Diego in California sostengono che gli SSD non avranno un futuro così luminoso nello sviluppo della tecnologia informatica dei prossimi anni.

Da quanto emerso, infatti, sembra che le soluzioni di storage basate su NAND Flash veloci incontreranno ostacoli abbastanza evidenti nella loro evoluzione, che difficilmente saranno superati.

Il problema, in particolare, riguarda i processi di miniaturizzazione necessari al fine di aumentare la capacità delle unità e abbassare i prezzi di vendita, che troveranno un limite fisico al raggiungimento della soglia dei 6,5nm prevista per l'anno 2024, quindi fra poco più di 10 anni.

I ricercatori hanno esaminato 45 tipi diversi di chip Flash in vari formati e sono arrivati alla conclusione che la diminuzione delle latenze ed un margine di errore tollerabile si potrà avere solo sino al raggiungimento del processo produttivo a 6,5nm, dal momento che, oltre tale limite, le prestazioni tenderebbero a degradare ed i costi di produzione non sarebbero più così vantaggiosi.

Mentre attualmente la capienza degli SSD aumenta e si riduce il costo per gigabyte, in futuro questa tendenza subirà una brusca inversione poichè sarà impossibile mantenere un'escalation di prestazioni, in particolare il numero degli IOPS, se si vuole continuare ad aumentarne la capacità di storage tenendo sotto controllo i prezzi.

Chi ipotizzava molto entusiasticamente che presto si sarebbe giunti ad un sostanziale pareggio tra il costo per gigabyte degli SSD e gli Hard Disk tradizionali sarà costretto a ridimensionare le proprie previsioni ...

Per approfondire questo interessante argomento è possibile trovare lo studio completo al seguente link:

http://cseweb.ucsd.edu/users/swanson/papers/FAST2012BleakFlash.pdf

[Trattore]

... Mentre attualmente la capienza degli SSD aumenta e si riduce il costo per gigabyte, in futuro questa tendenza subirà una brusca inversione ...

già ora la situazione non mi sembra molto favorevole, visto che in alcuni casi gli hard disk tradizionali sono aumentati di prezzo più di quanto sono diminuiti gli SSD, se poi in futuro andrà peggio...

Ciao

[italian soldier]

Ma chi sviluppa i controller cosa esiste a fare? Secondo me è una teoria che lascia il tempo che trova ...

[zilla]

Questa ricerca può essere un ottimo argomento per future discussioni, anche se, la materia è molto vasta. L'unico punto che a mio avviso non è stato affrontato decentemente è l'evoluzione dei controller e la disponibilità di nuovi elementi che possono variare la costante finale anche di parecchio.

Nel nostro settore 4 o più anni rappresentano un'era geologica che posso far estinguere questo studio in un attimo.

seguo l'evoluzione interessato

[AirJ]

Il problema, in particolare, riguarda i processi di miniaturizzazione necessari al fine di aumentare la capacità delle unità e abbassare i prezzi di vendita, che troveranno un limite fisico al raggiungimento della soglia dei 6,5nm prevista per l'anno 2024, quindi fra poco più di 10 anni.

Mi sembra di capire che il problema sia indipendente dallo sviluppo o meno dei controller.

[Trattore]

Comunque fare previsioni a 10 anni in campo informatico mi sembra un po' rischioso

[Totocellux]

ho letto l'articolo e l'ho trovato ovviamente interessante

Quello che non è stato assolutamente focalizzato per spiegare in maniera più significativa il perché la tecnologia alla base delle Nand e/o comunque il loro attuale stato di sviluppo appare già tuttora sensibilmente frenato, è proprio l'aspetto che sta alla luce dei concetti di fisica atomica associati ad un aumento della frequenza di lavoro dei chip NAND


Allo stato attuale lo sviluppo di Micron già nel corso del 2011 con i suoi chip MLC da 25nm, densità di 64Gb e velocità di 10ns, ha portato in 100-120 il numero max di elettroni ingabbiati in ogni singola cella.
Il numero invece di quelli destinati a dover separare i due livelli logici, è ridotto ad appena 30-40 elettroni.

Ciò, in buona sostanza, sta a significare a.e. che per poter differire uno stato low (70-80 elettroni) da uno stato high (100-120 elettroni), la discriminante è rappresentata appunto dalla presenza/assenza di soli 30-40 elettroni

Detto questo, un altro fattore importante è che, stante alla tecnologia costruttiva di 25nm e con questi valori in gioco, lo sfuggire di un singolo elettrone dalla gabbia della cella a cui effettivamente è destinato, portandolo quindi ad essere afferrato da quella immediatamente precedente o successiva, oltre ad un evidente problema in ordine alla congruenza del dato, porta ad uno sfasamento di ben 100mV

Era necessario che facessi una estrema sintesi, ma leggendo questo articolo, sintesi a sua volta di quanto discusso all'International Electron Devices Meeting del 2011, si potrà comprendere qualcosa di più in merito